[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202110302680.2 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN115188768A | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 刘泽旭;高锦成;钱海蛟;赵立星;陈亮;汪涛;朱登攀;陆文涛;张冠永 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 曾莺华 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板沿厚度方向包括:
衬底基板;
设置在衬底基板上且相互绝缘设置的栅极线固定部和公共电极,所述栅极线固定部和所述公共电极的材料为相同的导电材料且位于同一结构层中;
设置在所述栅极线固定部上的栅极线、以及设置在所述公共电极上的公共电极走线,所述栅极线固定部用于将所述栅极线固定于所述衬底基板上,所述栅极线和所述公共电极走线的材料相同且位于同一结构层中,所述栅极线和所述公共电极走线相互绝缘设置;
位于所述衬底基板上的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆设于所述栅极线、所述公共电极走线以及所述公共电极上;
位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层,以及位于所述第二绝缘层上的像素电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线固定部和所述公共电极的材料为相同的金属材料。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线固定部和所述公共电极的材料为相同的透明导电材料。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线固定部在所述衬底基板上的正投影与所述栅极线在所述衬底基板上的正投影完全重合。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线固定部和公共电极的材料均为氧化铟锡;所述栅极线和所述公共电极的材料均为铜;所述像素电极的材料为透明导电材料,所述像素电极的材料为氧化铟锡。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述公共电极与所述栅极线固定部的厚度相同,所述公共电极与所述栅极线固定部的厚度均为0.03um-0.07um;
所述公共电极走线和所述栅极线的厚度相同,所述公共电极走线和所述栅极线的厚度均为0.35um-0.60um;
所述第一绝缘层的厚度为0.35um-0.45um;
所述第二绝缘层的厚度为0.55um-0.65um;
所述像素电极的厚度为0.03um-0.07um。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极线和所述公共电极走线均为单层金属结构。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括多个像素单元,每个像素单元包括薄膜晶体管、所述像素电极、所述公共电极和所述公共电极走线,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述栅极为所述栅极线的部分结构。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8中任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
11.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1-8中任意一项所述的阵列基板,所述阵列基板的制作方法包括以下步骤:
在衬底基板上形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成第二导电层;
将所述第二导电层图案化形成栅极线和公共电极走线,所述公共电极走线与所述栅极线相互绝缘设置;
将所述第一导电层图案化形成公共电极、以及位于所述栅极线下方的栅极线固定部,所述栅极线固定部用于将所述栅极线固定于所述衬底基板上,所述公共电极部分位于所述公共电极走线的下方,所述公共电极与所述栅极线固定部相互绝缘设置;
所述衬底基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖于所述栅极线、所述公共电极走线以及所述公共电极上;
在所述成第一绝缘层形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成像素电极。
12.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一导电层的材料为金属材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的