[发明专利]一种高电阻高精度电阻器的实现方法

权利要求书

1.一种高电阻高精度电阻器的生产方法，其特征在于，包括：

步骤1：在多晶硅电阻器的多层电介质体上沉积多晶硅层，将所述多层电介质体与衬底和集成电路元件隔离；

步骤2：对所述多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂，并采用光刻工艺形成多晶硅区域，获得第一电阻器；

步骤3：沉积所述第一电阻器的金属层后进行光刻，与高度合金化区域接触，并在预设温度下进行退火，得到第二电阻器；

步骤4：对所述第二电阻器进行合格验证，若验证成功，判定所述第二电阻器为高电阻高精度电阻器，否则，对所述第二电阻器进行校正验证，包括：

基于制作所述第二电阻器的半导体工艺，确定测试的第一电压以及第二电压；

向所述第二电阻器进行第一电压测试，监测基于所述第二电阻器的第一实际产生电压，当捕捉到所述实际产生电压中存在大于预设电压的时间点时，调节第一电压为第二电压，并基于所述时间点，继续监测基于所述第二电阻器的第二实际产生电压；

获取所述第二电阻器基于第一实际产生电压下的第一温度变化以及基于第二实际产生电压下的第二温度变化；

基于所述第二电压与第一电压的压差值以及所述第一温度变化、第二温度变化，获得对所述第一电压的调整电压量，得到第三电压；

按照所述第三电压对所述第二电阻器进行测试，若在测试过程中，仍然存在大于预设电压的时间点，则判定所述第二电阻器不合格；

否则，判定所述第二电阻器为高电阻高精度电阻器；

在判定所述第二电阻器不合格后，对所述第二电阻器进行校正验证，包括：

确定所述掺杂区的区域空间，并确定高浓度离子掺杂在所述区域空间的空间填充度；

当所述空间填充度大于预设填充度时，对所述区域空间的填充均匀度进行判断；

否则，对所述第二电阻器进行填充校验；

当所述填充均匀度小于预设均匀度时，对所述第二电阻器进行均匀度校验；

否则，分别确定掺杂前与掺杂后的电压变化量以及温度梯度，对所述电压电阻器进行预设校验。

2.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤2中，对所述多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂是在所述多晶硅电阻器在金属化形成之后进行的，且对所述多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂包括：

确定所述第一电阻器的晶粒尺寸，并基于预设数据库，确定与所述晶粒尺寸相关的掺杂剂量；

按照所述掺杂剂量对所述多晶硅层的掺杂区进行离子掺杂。

3.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述预设温度的取值范围为250℃至850℃。

4.如权利要求1所述的生产方法，其特征在于，

所述多晶硅层中的掺杂区的深度与多晶硅层的厚度的差值绝对值小于预设值。