[发明专利]一种高电阻高精度电阻器的实现方法

说明书

本发明提供了一种高电阻高精度电阻器的实现方法，包括：步骤1：在多晶硅电阻器的多层电介质体上沉积多晶硅层，将多晶硅层与衬底和集成电路元件隔离；步骤2：对多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂，并采用光刻工艺形成多晶硅区域，获得第一电阻器；步骤3：沉积电阻器的金属层后进行光刻，与高度合金化区域接触，并在预设温度下进行退火，得到第二电阻器；步骤4：对第二电阻器进行合格验证，若验证成功，判定第二电阻器为高电阻高精度电阻器，否则，对第二电阻器进行校正验证。通过在金属化形成之后对电阻器进行掺杂和退火，便于提高获得的多晶硅电阻器的高表面电阻的精度，且通过其进行合格验证，便于进一步确保其的高精度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种高电阻高精度电阻器的实现方法。

背景技术

对于高电阻高精度电阻器的生产，比较常用的是作为单个元件或者是集成电路一部分的多晶硅电阻器。如PN结电阻器生产方式，其工艺步骤包括在p-型衬底生长n-型的外延层，在p型衬底上生长n型外延层，通过绝缘的p型区域将外延层分成岛，在这些岛中形成p型扩散电阻和具有高杂质浓度的n型馈电区。但是由于需要将电阻器与其他集成电路上的元件隔离，更因为电阻器结构上具有p-n结，此生产方式有以下的缺点：

1)电阻器所占面积大；

2)电阻器内有大寄生电容；

3)最大可达到的表面电阻由外延薄膜里的杂质而限制；

而另一种多晶硅电阻器生产方式，包括生长有一定厚度的电阻层在衬底表面上，电阻层具备标准多晶硅颗粒结构的；对多晶硅层进行氧化，氧化硅的形成将多晶硅层内部的晶界分开，通过随后的光刻技术形成电阻体。然而，在该方法中，多晶硅电阻器的电阻极大地取决于晶粒尺寸，该晶粒尺寸在多晶硅的每个沉积工艺中可能不同，并且取决于氧化工艺中基板上的温度梯度。结果，该方法不能保证得到多晶硅层的准确的高表面电阻。

从技术本质上讲，最接近以上所提到的解决方案的方法是制造作为集成电路一部分的多晶硅电阻器的方法，该方法包括涂覆多晶硅层，在一个过程中用N型杂质离子掺杂并形成NMOS晶体管的栅极，然后进行退火。然而，由于在形成多晶硅电阻器之后采用高温操作，因此该方法也不能获得高精度的电阻器的高表面电阻。

因此，本发明提出一种高电阻高精度电阻器的实现方法。

发明内容

本发明提供一种高电阻高精度电阻器的实现方法，用以通过在金属化形成之后对电阻器进行掺杂和退火，便于提高获得的多晶硅电阻器的高表面电阻的精度，且通过其进行合格验证，便于进一步确保其的高精度。

本发明提供一种高电阻高精度电阻器的实现方法，包括：

步骤1：在多晶硅电阻器的多层电介质体上沉积多晶硅层，将所述多晶硅层与衬底和集成电路元件隔离；

步骤2：对所述多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂，并采用光刻工艺形成多晶硅区域，获得第一电阻器；

步骤3：沉积所述电阻器的金属层后进行光刻，与高度合金化区域接触，并在预设温度下进行退火，得到第二电阻器；

步骤4：对所述第二电阻器进行合格验证，若验证成功，判定所述第二电阻器为高电阻高精度电阻器，否则，对所述第二电阻器进行校正验证。

在一种可能实现的方式中，

步骤2中，对所述多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂是在所述多晶硅电阻器在金属化形成之后进行的，且对所述多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂包括：

确定所述第一电阻器的晶粒尺寸，并基于预设数据库，确定与所述晶粒尺寸相关的掺杂剂量；

按照所述掺杂剂量对所述多晶硅层的掺杂区进行离子掺杂。

在一种可能实现的方式中，