[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法在审
申请号: | 202110303452.7 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113097411A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 万之君 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及显示面板的制备方法,显示面板包括第一基板、第二基板,以及设置在第一基板和第二基板之间的黑矩阵层和吸湿层。当外界的水汽进入面板内时,吸湿层可有效地将水汽吸附以保证其密封性能,同时,吸湿层设置在显示面板的非发光区域,不会影响到显示面板的正常显示,在制备该显示面板时,通过转印辊工艺直接将吸湿层转印至黑矩阵层上,制备工艺简单,成本更低,并提高了显示面板的可靠性。
本发明涉及显示面板制造领域,特别是涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
随着显示面板制造技术的不断提高,人们对显示面板的性能以及质量也提出了更高的要求。
常用的有机电致发光(organic light-emitting diode,OLED)显示装置主要包括底发光型和顶发光型。其中,相比底发光型OLED型装置而言,顶发光型OLED在相同亮度下的工作电压更低,使用寿命更长,功耗更低。因此,顶发光型OLED显示装置被广泛使用。对于顶发光型OLED,现有的制备工艺中,一般采用反应性金属作为阴极。阴极以及其他内部器件易受氧气和湿气的影响,一旦水氧侵入器件内部后,会严重限制器件的使用寿命,并出现暗点等不良。为降低显示装置内部容易出现侵蚀以及密封的问题,现有技术中,一般会在OLED器件的外围非发光区制作一圈吸水材料,通过吸水材料以吸收外面环境水汽的侵入,进而达到提高密封效果的作用。但是,由于面板窄边框发展趋势,外围非发光区不断被压缩,外围吸湿剂框的宽度也会不断被压缩,从而使得吸湿剂的起到的作用不断降低,并最终导致OLED器件密封效果不理想。
综上所述,现有的制备技术中,在显示装置的制备工艺以及密封工艺中,在显示装置长时间使用后,外界的水汽等物质容易侵入到装置内部,进而导致显示装置的密封失效,并对显示装置的显示质量造成影响。上述技术问题亟需改善。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以有效地提高显示面板的密封性能,阻挡外界的水汽等物质进入到面板内部,并简化制备工艺,提高显示装置可靠性以及综合性能。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供的技术方法如下:
本发明实施例的第一方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括像素发光区域和设置在相邻两所述像素发光区域之间的像素非发光区域,所述显示面板包括:
第一基板和相对所述第一基板设置的第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的黑矩阵层和吸湿层;
其中,所述吸湿层设置在所述第二基板上,所述黑矩阵层设置在所述第一基板朝向所述第二基板的一侧上,且所述吸湿层和所述黑矩阵层对应的设置在所述像素非发光区域内。
根据本发明一实施例,所述吸湿层的材料包括吸湿颗粒、溶剂以及分散剂中的至少一种,所述吸湿层的黏度小于50000Mpa·s。
根据本发明一实施例,所述吸湿颗粒包括纳米粒子,所述纳米粒子包括IIA族金属和IIA族金属的氧化物中的至少一种。
根据本发明一实施例,所述黑矩阵层的厚度小于10um,且所述黑矩阵层相对所述第一基板表面的锥角大于30°。
根据本发明一实施例,所述第二基板包括:
阵列基板;
像素定义层,所述像素定义层设置在所述阵列基板上,且设置在所述像素非发光区域对应的位置内;
发光层,所述发光层设置在所述阵列基板上且覆盖所述像素定义层;
阴极层,所述阴极层设置在所述发光层上;以及,
复合阻挡层,所述复合阻挡层设置在所述阴极层上。
根据本发明一实施例,所述复合阻挡层包括有机层和无机层,所述有机层与所述无机层相互交替设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择