[发明专利]超高分辨率MicroLED显示屏

权利要求书

1.超高分辨率MicroLED显示屏，其特征在于设有驱动基板和MicroLED阵列模块；所述MicroLED阵列模块设有MicroLED发光芯片和虚设芯片，所述MicroLED发光芯片设有第一电极，所述第一电极与MicroLED发光芯片电导通，所述虚设芯片设有第二电极，所述MicroLED阵列模块还设有第一半导体层、绝缘层，所述第二电极与第一半导体层电导通，所述驱动基板设有第三电极、第四电极、驱动单元、第二绝缘层、第一焊盘、第二焊盘，MicroLED阵列模块的下表面与驱动基板的上表面面对面地进行焊接，使得第一电极与第一焊盘焊接在一起，第二电极与第二焊盘焊接在一起，每一个驱动单元与一个第三电极电导通，若干个第三电极按照固定的行间距、列间距排布成第三电极的阵列，所述第四电极设于所述第三电极的阵列所在区域的外围，部分第三电极上方的第二绝缘层设有第一过孔，所述第一焊盘穿过第一过孔与其正下方的第三电极电导通，第一焊盘与第三电极一一对应，所述第四电极上方的第二绝缘层设有第二过孔，所述第二焊盘穿过所述第二过孔与所述第四电极电导通，至少有一个第三电极位于第二焊盘下方，且该第三电极与第二焊盘之间被第二绝缘层相隔离而绝缘不导通。

2.如权利要求1所述超高分辨率MicroLED显示屏，其特征在于所述MicroLED发光芯片设有若干个，若干个MicroLED发光芯片按照固定的行间距、列间距排布成MicroLED发光芯片阵列，虚设芯片位于MicroLED发光芯片阵列的外围区域，所述第一半导体层设有第一半导体层水平部和第一半导体层台阶部，MicroLED发光芯片与虚设芯片均设有第一半导体层台阶部、多量子阱发光层、第二半导体层、电流扩散层，所述MicroLED发光芯片多量子阱发光层发出的光线穿过第一半导体层从第一半导体层上表面出射，所述绝缘层包覆MicroLED发光芯片的侧壁、虚设芯片的侧壁和底面、第一半导体层水平部的下表面，所述第一电极设于MicroLED发光芯片的下表面，每一个第一电极分别与其所在的MicroLED发光芯片的电流扩散层电导通，所述第二电极设于虚设芯片的下表面，所述虚设芯片的还设有连接金属线路，所述第一半导体层水平部下表面绝缘层设有连接过孔，所述连接金属线路通过该连接过孔将第二电极与第一半导体层水平部电导通，所述连接金属线路覆盖所述虚设芯片的部分侧壁。

3.如权利要求1所述超高分辨率MicroLED显示屏，其特征在于所述第一焊盘设有若干个，若干个第一焊盘按照固定的行间距、列间距排布成阵列，所述第一焊盘阵列的行间距、列间距与所述MicroLED发光芯片阵列的行间距、列间距分别相等，从而使得所述第一电极与第一焊盘一一对应，所述第三电极与第四电极上方设有第二绝缘层，所述第二绝缘层上方设有第一焊盘和第二焊盘，所述第二焊盘从第二过孔延伸至所述第三电极的阵列所在区域的上方，第一焊盘的数量小于所述第三电极的数量。

4.如权利要求1所述超高分辨率MicroLED显示屏，其特征在于所述驱动基板设有若干个驱动单元，所述第四电极为驱动基板所有驱动单元的共阴极，每个驱动单元均能单独地控制一颗MicroLED发光芯片的供电，从而控制该MicroLED发光芯片的发光，所述每个驱动单元依次通过第三电极、第一焊盘、第一电极实现对MicroLED发光芯片的供电，所述驱动基板的宽度大于所述MicroLED阵列模块的宽度，所述驱动基板的上表面还设有金手指电极，所述金手指电极设于所述驱动基板的边缘，所述金手指电极不会被MicroLED阵列模块遮挡，所述金手指电极上绑定有柔性线路板，MicroLED阵列模块的下表面与驱动基板的上表面之间的非焊接区域还设有高反射率的底部填充胶，所述金手指电极上方设有防护胶。