[发明专利]超高分辨率MicroLED显示屏

说明书

超高分辨率MicroLED显示屏，涉及新型显示领域。设驱动基板、MicroLED阵列模块，MicroLED阵列模块设MicroLED发光芯片和虚设芯片，MicroLED阵列模块下表面与驱动基板上表面面对面地进行焊接，MicroLED发光芯片第一电极与第一焊盘焊接在一起，虚设芯片下表面的第二电极与第二焊盘焊接在一起，每一个驱动单元与一个第三电极电导通，若干个第三电极按照固定行间距、列间距排布成阵列，第一焊盘与其正下方的第三电极电导通且一一对应，第二焊盘与第四电极电导通，至少有一个第三电极位于第二焊盘下方，且该第三电极与第二焊盘间被第二绝缘层相隔离而绝缘不导通，实现驱动基板多机种通用，成本低。

技术领域

本发明涉及新型显示领域，尤其是涉及一种超高分辨率MicroLED显示屏。

背景技术

显示屏是最为重要的人机交互界面，新型显示产业是电子信息领域的重要产业。随之新型显示技术的不断发展，MicroLED显示逐步成为继液晶显示与OLED显示之后下一代显示技术。MicroLED显示采用LED发光芯片(MicroLED芯片)作为像素单元，MicroLED芯片的尺寸在几微米至几十微米之间，且一颗一颗紧密地排列成阵列，每颗都能独立地被驱动点亮发出光线。MicroLED显示具有自发光、高效、长寿命、超高分辨率等诸多优点，有望在AR/VR等近眼显示、对耗电量极为敏感的可穿戴设备以及100吋以上的超大屏幕显示等领域获得广泛应用。

超高分辨率MicroLED显示的芯片尺寸以及芯片之间的中心间距需要缩小至10微米以下，难以通过巨量转移的方式实现MicroLED芯片的阵列排布。由于巨量转移的效率和良率限制，采用荧光转换方式实现MicroLED全彩化显示，已经成为超高分辨率MicroLED显示的主流技术方案。超高分辨率MicroLED显示屏，通常采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，缩写为CMOS)驱动背板，蓝光或者紫外MicroLED阵列模块与CMOS驱动背板进行键合，使得每一颗MicroLED芯片的电极分别与CMOS驱动背板上的一个驱动单元实现键合，从而每颗MicroLED芯片均能够被单独地驱动。再按照红、绿、蓝三基色像素点的排布，在相应对应设置荧光材料，实现红绿蓝三基色的像素点。超高分辨率MicroLED显示屏，除了面临光串扰问题之外，还面临驱动背板成本较高，难以实现驱动背板通用化的难题。

中国专利CN111108613A、CN110211986A等均公开超高分辨率MicroLED显示屏的技术方案，其共同的缺点在于，MicroLED阵列模块的电极分别与驱动背板上的电极一一对应。每一款MicroLED显示屏均需要单独开发专用的驱动背板。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术存在的上述技术难题，提供能够实现驱动背板可通用化的一种超高分辨率MicroLED显示屏。

本发明设有驱动基板、MicroLED阵列模块；MicroLED阵列模块设有MicroLED发光芯片和虚设芯片，所述MicroLED发光芯片设有第一电极，所述第一电极与MicroLED发光芯片电导通，所述虚设芯片设有第二电极，所述MicroLED阵列模块还设有第一半导体层、绝缘层，所述第二电极与第一半导体层电导通，所述驱动基板设有第三电极、第四电极、驱动单元、第二绝缘层、第一焊盘、第二焊盘，MicroLED阵列模块的下表面与驱动基板的上表面面对面地进行焊接，使得第一电极与第一焊盘焊接在一起，第二电极与第二焊盘焊接在一起，每一个驱动单元与一个第三电极电导通，若干个第三电极按照固定的行间距、列间距排布成第三电极的阵列，所述第四电极设于第三电极的阵列所在区域的外围，部分第三电极上方的第二绝缘层设有第一过孔，所述第一焊盘穿过第一过孔与其正下方的第三电极电导通，第一焊盘与第三电极一一对应，所述第四电极上方的第二绝缘层设有第二过孔，所述第二焊盘穿过第二过孔与第四电极电导通，至少有一个第三电极位于第二焊盘下方，且该第三电极与第二焊盘之间被第二绝缘层相隔离而绝缘不导通。