[发明专利]带隙基准电压源电路及电子设备

权利要求书

1.一种带隙基准电压源电路，用于产生一基准电压，其特征在于，所述带隙基准电压源电路包括启动电路、操作放大器电路和输出电压电路：

所述启动电路用于为所述带隙基准电压源电路提供参考电压，以避免所述带隙基准电压源电路工作在零状态区；

所述操作放大器电路电连接所述启动电路，用于根据所述参考电压为所述输出电压电路产生工作电流；

所述输出电压电路电连接所述操作放大器电路，用于接收所述工作电流，并根据所述工作电流以预设比例对所述参考电压进行放大或缩小，以得到零温度系数的基准电压。

2.如权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述启动电路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极电连接电源，所述第一NMOS管的栅极电连接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管M1源极电连接所述第二NMOS管M2的漏极，所述第二NMOS管M2的源极接地。

3.如权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管M2的栅极之间具有第一节点，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极之间具有第二节点，所述第一节点电连接所述第二节点，所述第二节点输出所述启动电路的参考电压。

4.如权利要求2所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述操作放大器电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极电连接所述电源，所述第一PMOS管的栅极电连接所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的源极电连接所述电源，所述第一PMOS管的漏极电连接于所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极之间的第三节点。

5.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述操作放大器电路还包括第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第二PMOS管的漏极电连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的漏极电连接所述输出电压电路，所述第三NMOS管的源极电连接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极还电连接所述第五NOMS管的源极，所述第五NMOS管的漏极电连接所述第一PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极电连接所述第四NMOS管的栅极。

6.如权利要求5所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述输出电压电路包括第六NMOS管、第一电阻和第二电阻，所述第六NMOS管的栅极电连接所述第二PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间的第三节点，所述第六NMOS管的漏极电连接所述电源，所述第六NMOS的源极电连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端电连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地，所述第二电阻的第一端与所述第六NMOS管之间的第五节点作为基准电压输出端输出该基准电压。

7.如权利要求6所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述第一电阻的第一端与所述第二电阻的第二端之间的第四节点电连接所述第三NMOS管的栅极。

8.如权利要求5所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，

所述输出电压电路包括第六NMOS管、第一电阻和第二电阻，所述第六NMOS管的栅极电连接所述第二PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间的第三节点，所述第六NMOS管的漏极电连接所述电源，所述第六NMOS的源极电连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端电连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地，所述第二电阻的第一端与所述第六NMOS管之间的第五节点电连接所述第三NMOS管的栅极，所述第二电阻与所述第一电阻之间的第四节点作为基准电压输出端输出基准电压。