[发明专利]FinFET器件及方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍，从半导体衬底延伸；

栅极堆叠，在所述鳍之上；

间隔件，在所述栅极堆叠的侧壁上；

源极/漏极区域，在所述鳍中与所述间隔件相邻；

层间电介质层(ILD)，在所述栅极堆叠、所述间隔件和所述源极/漏极区域之上延伸；

接触插塞，延伸穿过所述ILD并接触所述源极/漏极区域；

电介质层，包括位于所述ILD的顶表面上的第一部分以及在所述ILD和所述接触插塞之间延伸的第二部分，其中，所述第二部分的顶表面比所述ILD的顶表面更靠近所述衬底；以及

气隙，在所述间隔件和所述接触插塞之间，其中，所述电介质层的第二部分密封所述气隙的顶部。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：导电材料，在所述ILD、所述第二部分和所述接触插塞上延伸。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述导电材料通过所述第二部分与所述气隙分开。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一部分通过所述导电材料与所述第二部分分开。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电介质层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二部分的顶表面在所述ILD的顶表面下方的0nm和15nm之间的范围内。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二部分的垂直厚度在1nm和15nm之间的范围内。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二部分的宽度在0.5nm和4nm之间的范围内。

9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成从衬底突出的鳍；

在所述鳍的沟道区域之上形成栅极结构；

沿着所述栅极结构的侧壁形成栅极间隔件；

在所述鳍中形成与所述沟道区域相邻的外延区域；

在所述栅极结构和所述栅极间隔件之上沉积第一电介质层，所述第一电介质层包括第一电介质材料；

形成接触插塞，所述接触插塞延伸穿过所述第一电介质层并接触所述外延区域，其中，气隙将所述接触插塞和所述栅极间隔件分开；

在所述第一电介质层之上以及在所述接触插塞之上沉积第二电介质层，包括用所述第二电介质层来密封所述气隙的下部区域，其中，所述第二电介质层包括不同于所述第一电介质材料的第二电介质材料；

蚀刻所述第二电介质层以暴露所述接触插塞，其中，在蚀刻所述第二电介质层之后，所述第二电介质层的剩余部分密封所述气隙的下部区域；以及

在所述接触插塞上沉积导电材料，包括在所述接触插塞和所述第一电介质材料之间以及所述第二电介质层的剩余部分上沉积所述导电材料。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在半导体鳍之上形成栅极堆叠；

在所述半导体鳍中形成与所述栅极堆叠相邻的外延源极/漏极区域；

在所述栅极堆叠之上以及在所述外延源极/漏极区域之上沉积第一电介质层；

在所述第一电介质层中形成开口以暴露所述外延源极/漏极区域；

在所述开口内沉积牺牲材料；

在所述开口内的所述牺牲材料之上沉积第一导电材料；

去除所述牺牲材料以形成间隙；

在所述第一电介质层之上、所述导电材料之上、以及所述间隙之上沉积第二电介质层，其中，所述第二电介质层延伸到所述间隙中第一距离；以及

蚀刻所述第二电介质层以暴露所述第一导电材料，其中，所述第二电介质层的第一部分在所述蚀刻之后保留在所述间隙内。