[发明专利]引线框架及其制作方法有效
| 申请号： | 202110310254.3 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113113319B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 谢重教;张礼冠;揭海欢 | 申请（专利权）人： | 江西新菲新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人： | 林玉旋;万振雄 |
| 地址： | 330029 江西省南昌市赣江新区直管*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线 框架 及其 制作方法 | ||
1.一种引线框架的制作方法，其特征在于，包括：
在承载膜上形成第一牺牲层，图案化所述第一牺牲层，以形成引脚凹槽；
向所述引脚凹槽填充导电材料，以形成引脚；
去除所述第一牺牲层并在所述第一牺牲层原先的位置形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成底座，所述底座与所述引脚间隔设置，所述底座用于承载芯片，所述引脚通过引线与所述芯片电连接。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在承载膜上形成第一牺牲层，包括：
在所述承载膜上形成过渡层，图案化所述过渡层，以形成第一凹槽；
在所述过渡层上形成所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成与所述第一凹槽对应的所述引脚凹槽。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一牺牲层为正性光刻胶，所述过渡层为负性光刻胶；或，所述第一牺牲层为负性光刻胶，所述过渡层为正性光刻胶。
4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述过渡层曝光所需的光照强度和光照时间不同，和/或，所述第一牺牲层和所述过渡层显影所需的显影液浓度和显影时间不同。
5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成所述底座之后，包括：
剥离所述承载膜和所述过渡层，以使所述引脚突出于所述绝缘层背向所述底座的表面。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，使用去除所述第一牺牲层并在所述第一牺牲层原先的位置形成绝缘层，包括：
通过剥膜去掉所述第一牺牲层；
在原来的所述第一牺牲层的位置填充绝缘材料，以形成包围所述引脚的所述绝缘层。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成所述底座的同时，包括：
在所述引脚上形成电极，所述引脚通过所述电极与所述引线连接。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成所述底座，包括：
在所述绝缘层上形成第二牺牲层，图案化所述第二牺牲层，以形成第二凹槽；
向所述第二凹槽填充导电材料，以形成所述底座。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述绝缘层上形成封装层，并使所述封装层覆盖所述底座和所述引脚。
10.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架采用如权利要求1-9中任一项所述的制作方法制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西新菲新材料有限公司，未经江西新菲新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110310254.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像传输方法、装置及系统
- 下一篇：一种能减少交通事故的汽车驾驶鞋及控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
