[发明专利]引线框架及其制作方法

说明书

一种引线框架及其制作方法，制作方法包括：在承载膜上形成第一牺牲层，图案化第一牺牲层，以形成引脚凹槽；向引脚凹槽填充导电材料，以形成引脚；去除所述第一牺牲层并在所述第一牺牲层原先的位置形成绝缘层；在绝缘层上形成底座，底座与引脚间隔设置，底座用于承载芯片，引脚通过引线与芯片电连接。通过在承载膜上做加法工艺，由于无需蚀刻、无需加强筋的连接以及无需冲切，能够有效避免蚀刻和冲切导致的缺陷，以及具有更高的集成程度和排版利用率，可以制作数量更多的多排引脚以及适用于更薄的设计以及多脚位IC封装。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种引线框架及其制作方法。

背景技术

引线框架(Lead frame)作为集成电路的芯片载体，是一种借助键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

引线框架的传统制造工艺采用减法的半蚀刻技术：取铜卷材，在铜卷材进行双面压膜，依次进行曝光、显影和蚀刻，经过蚀刻或者半蚀刻制作出引线框架图形，再通过冲切形成一个个引线框架。

传统方案具有以下弊端：

1、制程流程复杂，且材料浪费较为严重；

2、蚀刻出来的是四周单排引脚，I/O通道少，而且面积大，集成程度低；

3、通过蚀刻把铜材黏连处断裂，因蚀刻制程不稳定，不容易蚀刻断，线路不平整；

4、通过冲切分离引线框架，容易产生毛刺、披锋及损伤，可靠性较差；

5、半蚀刻工艺不适应用于超薄设计、多脚位IC封装；

6、需要有加强筋的连接，排版利用率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种引线框架及其制作方法，能够克服传统方案的上述弊端的至少其中之一。

为实现本发明的目的，本发明提供了如下的技术方案：

第一方面，本发明提供了一种引线框架的制作方法，制作方法包括：在承载膜上形成第一牺牲层，图案化所述第一牺牲层，以形成引脚凹槽；向所述引脚凹槽填充导电材料，以形成引脚；去除所述第一牺牲层并在所述第一牺牲层原先的位置形成绝缘层；在所述绝缘层上形成底座，所述底座与所述引脚间隔设置，所述底座用于承载芯片，所述引脚通过引线与所述芯片电连接。

通过在承载膜上做加法工艺，由于无需蚀刻，制程较为简单，以及能够节约材料，且引脚的形成不受空间限制，能够制作出数量更多的多排引脚、更多I/O通道、更细的线路以及更小的芯片体积，具有更高的集成程度，能够适用于更薄的设计以及多脚位IC封装。同时，无需蚀刻还可避免产生穿刻、不平整、尺寸偏差等问题，线路更加平整。另外，由于无需加强筋的连接，排版利用率更高，由于无需冲切，可避免毛刺、披锋及损伤，可靠性较高。

一种实施方式中，所述在承载膜上形成第一牺牲层，包括：在所述承载膜上形成过渡层，图案化所述过渡层，以形成第一凹槽；在所述过渡层上形成所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成与所述第一凹槽对应的所述引脚凹槽。通过在形成第一牺牲层之前形成过渡层，以便于在第一牺牲层被绝缘层替换后，通过过渡层将承载膜剥离，同时也有利于线路的制作。

一种实施方式中，所述在所述绝缘层上形成底座之后，包括：剥离所述承载膜和所述过渡层，以使所述引脚突出于所述绝缘层背向所述底座的表面。通过剥离承载膜和过渡层，使得引脚突出于绝缘层的表面，有利于芯片通过引脚与外部导线电连接以形成电气回路。同时，剥离承载膜和过渡层即可形成多个引线框架，从而无需传统工艺中的冲切，能够有效避免毛刺、披锋及损伤，有利于提高可靠性。另外，承载膜能够重复利用，有利于降低制作成本。