[发明专利]含镉量子点及其应用

权利要求书

1.一种含镉量子点，其特征在于，包括第一半导体材料的核，以及第二半导体材料的壳，设置在所述核上，其中所述含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，所述核包括CdZnSe_1-xS_x，0≤x1，所述壳包括ZnS、ZnSe、ZnSeS或其组合，所述含镉量子点的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰，所述第一吸收峰的吸收度为I_ab，所述含镉量子点的紫外可见吸收光谱450nm处的吸收度为I₄₅₀，I₄₅₀/I_ab大于2，所述含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于20nm。

2.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的紫外可见吸收光谱425nm处的吸收度为I₄₂₅，I₄₂₅/I_ab大于5。

3.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的荧光发射光谱对应的荧光激发光谱具有尖锐的第二特征峰，所述荧光激发光谱的第二特征峰位于(荧光发射峰位-50)nm～(荧光发射峰位-150)nm。

4.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述核为CdSe和CdZnSe形成的合金材料，或CdSeS和CdZnSe形成的合金材料。

5.根据权利要求4所述的含镉量子点，其特征在于，所述CdSe或CdSeS的平均尺寸为2～5nm。

6.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述壳包括第一壳和设置在所述第一壳上的第二壳，所述第一壳为ZnSe，所述第二壳为ZnSeS/ZnS或ZnS。

7.根据权利要求6所述的含镉量子点，其特征在于，所述第一壳的厚度为5～10nm，所述第二壳的厚度为3～7nm。

8.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述核的平均尺寸为5～10nm。

9.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的荧光发射峰位为500～600nm。

10.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于16nm，量子产率大于等于80％。

11.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点中，锌相对于镉的摩尔比大于等于10。

12.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的第一吸收峰位位于500～600nm。

13.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的第一吸收峰的半半峰全宽小于15nm。

14.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，将所述含镉量子点分散在正辛烷溶剂中，玻璃瓶橡胶塞密封保存，在1W/cm²强度的450nm波长的蓝光连续照射200h后，半峰全宽变宽程度小于等于2nm。

15.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点至少一个单颗所述含镉量子点的荧光半峰全宽小于等于10nm。

16.一种组合物，其特征在于，包括权利要求1～15所述的任意一种含镉量子点。

17.一种光致发光器件，其特征在于，包括权利要求1～15所述的任意一种含镉量子点。