[发明专利]含镉量子点及其应用

说明书

本公开提供了一种含镉量子点、组合物、光致发光器件、电致发光器件及显示装置，该含镉量子点包括第一半导体材料的核，以及第二半导体材料的壳，设置在核上，其中含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，核包括CdZnSe_1‑xS_x，0≤x1，壳包括ZnS、ZnSe、ZnSeS或其组合，含镉量子点的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰，第一吸收峰的吸收度为I_ab，含镉量子点的紫外可见吸收光谱450nm处的吸收度为I₄₅₀，I₄₅₀/I_ab大于2，含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于20nm。

技术领域

本公开涉及量子点技术领域，具体而言，涉及一种含镉量子点及其应用。

背景技术

量子点作为一类无机发光材料，具有色域广、色彩纯、能耗低等优势而用于显示设备中，其必须具备以下几点技术特征：高的量子效率、高的稳定性、窄的半峰全宽(full-width-at-half-maximum)等，目前量子点的前述发光性能仍不够完美，阻碍了其下游应用产品的竞争力。

发明内容

本公开的目的在于提供一种含镉量子点及其应用，表现出改善的发光性能。

本公开的第一个方面，提供了一种含镉量子点，包括第一半导体材料的核，以及第二半导体材料的壳，设置在核上，其中含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，核包括CdZnSe_1-xS_x，0≤x1，壳包括ZnS、ZnSe、ZnSeS或其组合，含镉量子点的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰，第一吸收峰的吸收度为I_ab，含镉量子点的紫外可见吸收光谱450nm处的吸收度为I₄₅₀，I₄₅₀/I_ab大于2，含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于20nm。

进一步地，含镉量子点的紫外可见吸收光谱425nm处的吸收度为I₄₂₅，I₄₂₅/I_ab大于5。

进一步地，含镉量子点的荧光发射光谱对应的荧光激发光谱具有尖锐的第二特征峰，荧光激发光谱的第二特征峰位于(荧光发射峰位-50)nm～(荧光发射峰位-150)nm。

进一步地，核为CdSe和CdZnSe形成的合金材料，或CdSeS和CdZnSe形成的合金材料。

进一步地，CdSe或CdSeS的平均尺寸为2～5nm。

进一步地，壳包括第一壳和设置在第一壳上的第二壳，第一壳为ZnSe，第二壳为ZnSeS/ZnS或ZnS。

进一步地，第一壳的厚度为5～10nm，第二壳的厚度为3～7nm。

进一步地，核的平均尺寸为5～10nm。

进一步地，含镉量子点的荧光发射峰位为500～600nm。

进一步地，含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于16nm，量子产率大于等于80％。

进一步地，含镉量子点中，锌相对于镉的摩尔比大于等于10。

进一步地，含镉量子点的第一吸收峰位位于500～600nm。

进一步地，含镉量子点的第一吸收峰的半半峰全宽小于15nm。

进一步地，将含镉量子点分散在正辛烷溶剂中，玻璃瓶橡胶塞密封保存，在1W/cm²强度的450nm波长的蓝光连续照射200h后，半峰全宽变宽程度小于等于2nm。

进一步地，含镉量子点至少一个单颗含镉量子点的荧光半峰全宽小于等于10nm。