[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层；

形成纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道孔；

对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层；

在所述虚拟沟道孔中填充介质层，使所述氧化层和所述介质层共同构成支撑结构；

去除所述层间牺牲层，以在所述堆栈层中形成牺牲间隙；

在所述牺牲间隙中形成栅极层，所述栅极层和所述层间绝缘层靠近所述介质层一侧的表面平齐；所述氧化层包括多段纵向间隔设置的子氧化层；多段所述子氧化层与多个所述栅极层一一对应设置，且每段所述子氧化层位于所述介质层与对应的栅极层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层的步骤，包括：

对裸露于所述虚拟沟道孔侧壁的所述层间牺牲层进行氧化，以在所述虚拟沟道孔侧壁处的层间牺牲层的表面形成所述氧化层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述层间牺牲层为氮化硅，所述氧化层为氧化硅。

4.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层；

纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构包括介质层和覆盖至少部分介质层的氧化层，所述栅极层和所述层间绝缘层靠近所述虚拟沟道结构一侧的表面平齐，所述介质层和所述氧化层共同构成支撑结构；所述氧化层包括多段纵向间隔设置的子氧化层；多段所述子氧化层与多个所述栅极层一一对应设置，且每段所述子氧化层位于所述介质层与对应的栅极层之间，以覆盖部分介质层的侧壁。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，任意纵向相邻的两段所述子氧化层之间具有所述介质层。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化层为氧化硅。