[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层；形成纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道孔；对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层；在所述虚拟沟道孔中填充介质层；去除所述层间牺牲层，以在所述堆栈层中形成牺牲间隙；在所述牺牲间隙中形成栅极层。本发明能够提高堆栈层的支撑力，避免在去除层间牺牲层后塌陷。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。

背景技术

在半导体器件中，沟道孔包括存储沟道孔和虚拟沟道孔(Dummy Channal Hole)。在存储沟道孔和虚拟沟道孔分开制作的工艺中，由于虚拟沟道孔的分布比较稀疏，且虚拟沟道孔中填充的材料在高温处理后会收缩，因此在去除堆栈层中的层间牺牲层后，堆栈层的支撑力不够容易导致塌陷。

发明内容

本发明提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件，能够提高堆栈层的支撑力，避免在去除层间牺牲层后塌陷。

本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

在衬底上形成堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层；

形成纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道孔；

对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层；

在所述虚拟沟道孔中填充介质层；

去除所述层间牺牲层，以在所述堆栈层中形成牺牲间隙；

在所述牺牲间隙中形成栅极层。

进一步优选的，所述对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层的步骤，包括：

对裸露于所述虚拟沟道孔侧壁的层间牺牲层进行氧化，以在所述虚拟沟道孔侧壁处的层间牺牲层的表面形成氧化层。

进一步优选的，所述对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层的步骤，包括：

对裸露于所述虚拟沟道孔侧壁的层间牺牲层进行刻蚀，以形成凹槽；

对所述凹槽中的层间牺牲层进行氧化，以在所述凹槽中形成氧化层。

进一步优选的，所述对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层的步骤，包括：

在所述虚拟沟道孔的侧壁上形成牺牲层；

对所述牺牲层进行氧化，以形成覆盖所述虚拟沟道孔侧壁的氧化层。

进一步优选的，所述氧化层的厚度为10nm。

进一步优选的，所述层间牺牲层和所述牺牲层分别为氮化硅，所述氧化层为氧化硅。

相应地，本发明还提供了一种半导体器件，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层；

纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构包括介质层和覆盖至少部分介质层的氧化层。

进一步优选的，所述氧化层包括多段纵向间隔设置的子氧化层；

多段子氧化层与多个栅极层一一对应设置，且每段所述子氧化层位于所述介质层与对应的栅极层之间，以覆盖部分介质层的侧壁。

进一步优选的，任意纵向相邻的两段所述子氧化层之间具有所述介质层。

进一步优选的，任意纵向相邻的两段所述子氧化层之间具有一个所述层间绝缘层。