[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

基板；

第一栅电极，配置在所述基板上；

缓冲层，配置在所述第一栅电极上；

第一有源图案，配置在所述缓冲层上且与所述第一栅电极重叠，并且由氧化物半导体形成；

第二有源图案，配置在所述缓冲层上且与所述第一有源图案间隔开，由氧化物半导体形成，并且包括沟道区域以及分别配置在所述沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域；

源极图案和漏极图案，分别配置在所述第一有源图案的两端部上；

第一绝缘图案，配置在所述源极图案与所述漏极图案之间的所述第一有源图案上；

第二绝缘图案，配置在所述第二有源图案的所述沟道区域上；

第一供氧图案，配置在所述第一绝缘图案上且向所述第一有源图案供给氧；

第二供氧图案，配置在所述第二绝缘图案上且向所述第二有源图案供给氧；以及

第二栅电极，配置在所述第二供氧图案上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一供氧图案和所述第二供氧图案包括氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第一供氧图案和所述第二供氧图案包括与所述第一有源图案和所述第二有源图案相同的物质。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第一供氧图案和所述第二供氧图案包括与所述第一有源图案及所述第二有源图案不同的物质。

5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

层间绝缘层，覆盖所述第一供氧图案和所述第二栅电极并且配置在所述缓冲层上；

第一源电极和第一漏电极，配置在所述层间绝缘层上且分别与所述源极图案及所述漏极图案连接；以及

第二源电极和第二漏电极，配置在所述层间绝缘层上且分别与所述源极区域及所述漏极区域连接。

6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：

导电图案，配置在所述基板与所述缓冲层之间且与所述第二有源图案重叠。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述导电图案与所述第二源电极或所述第二栅电极电连接。

8.一种显示装置，包括：

基板；

第一晶体管，配置在所述基板上且包括由氧化物半导体形成的第一有源图案，并且具有底栅结构；

第二晶体管，配置在所述基板上且包括由氧化物半导体形成的第二有源图案，并且具有顶栅结构；

第一供氧图案，配置在所述第一有源图案上并且向所述第一有源图案供给氧；以及

第二供氧图案，配置在所述第二有源图案上并且向所述第二有源图案供给氧。

9.一种显示装置的制造方法，包括：

在基板上形成第一栅电极的步骤；

在所述第一栅电极上形成缓冲层的步骤；

在所述缓冲层上形成第一有源图案和第二有源图案的步骤，其中，所述第一有源图案与所述第一栅电极重叠且由氧化物半导体形成，所述第二有源图案与所述第一有源图案间隔开且由氧化物半导体形成；

在所述第一有源图案的两端部上分别形成源极图案和漏极图案的步骤；

在所述源极图案与所述漏极图案之间的所述第一有源图案上形成第一绝缘图案以及在所述第二有源图案上形成第二绝缘图案的步骤；

在所述第一绝缘图案上形成第一供氧图案以及在所述第二绝缘图案上形成第二供氧图案的步骤；以及

在所述第二供氧图案上形成第二栅电极的步骤，

所述第一绝缘图案、所述第二绝缘图案、所述第一供氧图案、所述第二供氧图案和所述第二栅电极通过利用第一半色调掩模的一个光刻工序形成。

10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，

形成所述第一绝缘图案、所述第二绝缘图案、所述第一供氧图案和所述第二供氧图案的步骤包括：

在所述第一有源图案和所述第二有源图案上依次形成绝缘层和供氧层的步骤；以及

对所述供氧层进行热处理来从所述供氧层分别向所述第一有源图案和所述第二有源图案供给氧的步骤。