[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

提供显示装置及其制造方法。显示装置包括：基板；第一栅电极，配置在基板上；缓冲层，配置在第一栅电极上；第一有源图案，配置在缓冲层上且与第一栅电极重叠；第二有源图案，配置在缓冲层上且与第一有源图案间隔开，且包括沟道区域及分别配置在沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域；源极图案和漏极图案，分别配置在第一有源图案的两端部上；第一绝缘图案，配置在源极图案与漏极图案之间的第一有源图案上；第二绝缘图案，配置在第二有源图案的沟道区域上；第一供氧图案，配置在第一绝缘图案上且向第一有源图案供给氧；第二供氧图案，配置在第二绝缘图案上且向第二有源图案供给氧；和第二栅电极，配置在第二供氧图案上。

技术领域

本发明涉及显示装置及其制造方法。更详细而言，本发明涉及包括晶体管的显示装置及其制造方法。

背景技术

显示装置可以包括多个像素以及用于驱动所述多个像素的驱动部。所述多个像素以及所述驱动部分别可以包括晶体管。

随着显示装置的高分辨率化以及显示装置的无效区(dead space)的减少，配置晶体管的区域可能会减少。由此，配置在相对狭窄的面积中的晶体管的电特性可能会下降。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种包括电特性得到改善的晶体管的显示装置。

本发明的一目的在于提供一种用于减少制造费用以及制造时间的显示装置的制造方法。

但是，本发明的目的并不限于如上所述的目的，在不超出本发明的思想以及领域的范围内可以进行各种扩展。

为了达成前述的本发明的一目的，各实施例涉及的显示装置可以包括：基板；第一栅电极，配置在所述基板上；缓冲层，配置在所述第一栅电极上；第一有源图案，配置在所述缓冲层上且与所述第一栅电极重叠，并且由氧化物半导体形成；第二有源图案，配置在所述缓冲层上且与所述第一有源图案间隔开，由氧化物半导体形成，并且包括沟道区域以及分别配置在所述沟道区域的两端部的源极区域和漏极区域；源极图案和漏极图案，分别配置在所述第一有源图案的两端部上；第一绝缘图案，配置在所述源极图案与所述漏极图案之间的所述第一有源图案上；第二绝缘图案，配置在所述第二有源图案的所述沟道区域上；第一供氧图案，配置在所述第一绝缘图案上且向所述第一有源图案供给氧；第二供氧图案，配置在所述第二绝缘图案上且向所述第二有源图案供给氧；以及第二栅电极，配置在所述第二供氧图案上。

在一实施例中，可以是，所述第一供氧图案和所述第二供氧图案包括氧化物半导体。

在一实施例中，可以是，所述第一供氧图案和所述第二供氧图案包括与所述第一有源图案和所述第二有源图案实质上相同的物质。

在一实施例中，可以是，所述第一供氧图案和所述第二供氧图案包括与所述第一有源图案及所述第二有源图案不同的物质。

在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：层间绝缘层，覆盖所述第一供氧图案和所述第二栅电极并且配置在所述缓冲层上；第一源电极和第一漏电极，配置在所述层间绝缘层上且分别与所述源极图案及所述漏极图案连接；以及第二源电极和第二漏电极，配置在所述层间绝缘层上且分别与所述源极区域及所述漏极区域连接。

在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：平坦化层，配置在所述层间绝缘层上。可以是，所述第一源电极包括：第一下部源电极，配置在所述层间绝缘层的上表面；以及第一上部源电极，配置在所述平坦化层的上表面且与所述第一下部源电极连接，所述第一漏电极包括：第一下部漏电极，配置在所述层间绝缘层的上表面；以及第一上部漏电极，配置在所述平坦化层的上表面且与所述第一下部漏电极连接。可以是，所述第二源电极包括：第二下部源电极，配置在所述层间绝缘层的上表面；以及第二上部源电极，配置在所述平坦化层的上表面且与所述第二下部源电极连接，所述第二漏电极包括：第二下部漏电极，配置在所述层间绝缘层的上表面；以及第二上部漏电极，配置在所述平坦化层的上表面且与所述第二下部漏电极连接。