[发明专利]三维存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器器件，其特征在于，包括：

存储阵列层；

外围器件层；

设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层；所述缓冲层的材料包括钯单质、镧镍合金或铁钛合金。

2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其特征在于，所述缓冲层能够使得所述存储阵列层中存在的第一元素的量大于第一阈值，且所述外围器件层中存在的所述第一元素的量小于第二阈值；所述第一阈值大于所述第二阈值。

3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其特征在于，所述缓冲层能够吸收第一元素，阻止所述第一元素进入外围器件层。

4.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其特征在于，所述三维存储器器件还包括形成在所述存储阵列层以及所述外围器件层之间的多个互连层；相邻的两个互连层之间均包括介质层，所述缓冲层设置在所述介质层中。

5.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其特征在于，所述缓冲层位于多个介质层中靠近所述外围器件层的介质层中。

6.根据权利要求2或3所述的三维存储器器件，其特征在于，所述第一元素包括氢元素。

7.根据权利要求6所述的三维存储器器件，其特征在于，所述缓冲层的材料包括能够吸收游离在所述缓冲层附近的氢元素的材料。

8.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其特征在于，所述三维存储器器件还包括钝化层；所述钝化层和所述多个互连层分别设置在所述存储阵列层的不同表面上；所述钝化层用于至少向所述存储阵列层中提供第一元素。

9.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其特征在于，所述互连层包括连接结构；

所述缓冲层中设置有通孔，所述通孔的侧壁设置有绝缘层；所述连接结构通过所述通孔贯穿所述缓冲层。

10.一种三维存储器器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成存储阵列层；

形成外围器件层；

在所述外围器件层与所述存储阵列层之间形成缓冲层；所述缓冲层的材料包括钯单质、镧镍合金或铁钛合金。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层能够使得所述存储阵列层中存在的第一元素的量大于第一阈值，且所述外围器件层中存在的所述第一元素的量小于第二阈值；所述第一阈值大于所述第二阈值。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述存储阵列层以及所述外围器件层之间形成多个互连层，并在相邻的两个互连层之间均形成介质层；

所述在所述外围器件层与所述存储阵列层之间形成缓冲层，包括:

在所述介质层中形成所述缓冲层。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在所述介质层中形成所述缓冲层，包括:

在多个介质层中靠近所述外围器件层的介质层中形成所述缓冲层。

14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述第一元素包括氢元素。

15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述存储阵列层上与形成多个互连层不同的表面上形成钝化层；通过所述钝化层至少向所述存储阵列层中提供第一元素。

16.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在所述存储阵列层以及所述外围器件层之间形成多个互连层，包括：

形成连接结构；

在所述外围器件层与所述存储阵列层之间形成缓冲层时，在所述缓冲层中形成通孔，在所述通孔的侧壁形成绝缘层，使得所述连接结构通过所述通孔贯穿所述缓冲层。