[发明专利]三维存储器器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种三维存储器器件及其制造方法。其中，三维存储器器件包括：存储阵列层；外围器件层；设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层；所述缓冲层能够使得所述存储阵列层中存在的第一元素的量大于第一阈值，且所述外围器件层中存在的所述第一元素的量小于第二阈值；所述第一阈值大于所述第二阈值。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器器件及其制造方法。

背景技术

三维存储器器件是业界所研发的一种新兴的闪存类型，三维存储器器件通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决二维或者平面闪存带来的限制。三维存储器器件具备卓越的精度，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，成本低和功耗低，能全面满足众多需求。

然而，相关技术中的三维存储器器件的外围器件存在可靠性不佳的问题。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种三维存储器器件及其制造方法。

本发明实施例提供了一种三维存储器器件，包括：

存储阵列层；

外围器件层；

设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层；所述缓冲层能够使得所述存储阵列层中存在的第一元素的量大于第一阈值，且所述外围器件层中存在的所述第一元素的量小于第二阈值；所述第一阈值大于所述第二阈值。

上述方案中，所述三维存储器器件还包括形成在所述存储阵列层以及所述外围器件层之间的多个互连层；相邻的两个互连层之间均包括介质层，所述缓冲层设置在所述介质层中。

上述方案中，所述缓冲层位于多个介质层中靠近所述外围器件层的介质层中。

上述方案中，所述第一元素包括氢元素。

上述方案中，所述缓冲层的材料包括能够吸收游离在所述缓冲层附近的氢元素的材料。

上述方案中，所述缓冲层的材料包括钯单质、镧镍合金或铁钛合金。

上述方案中，所述三维存储器器件还包括钝化层；所述钝化层和所述多个互连层分别设置在所述存储阵列层的不同表面上；所述钝化层用于至少向所述存储阵列层中提供所述第一元素。

上述方案中，所述互连层包括连接结构；

所述缓冲层中设置有通孔，所述通孔的侧壁设置有绝缘层；所述连接结构通过所述通孔贯穿所述缓冲层。

本发明实施例还提供了一种三维存储器器件，包括：

存储阵列层；

外围器件层；

设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层，所述缓冲层能够吸收第一元素，阻止所述第一元素进入外围器件层。

上述方案中，所述三维存储器器件还包括形成在所述存储阵列层以及所述外围器件层之间的多个互连层；相邻的两个互连层之间均包括介质层，所述缓冲层设置在多个介质层中靠近所述外围器件层的介质层中。

上述方案中，所述第一元素包括氢元素。

本发明实施例还提供了一种三维存储器器件，包括：

存储阵列层；

外围器件层；

设置在所述外围器件层与所述存储阵列层之间的缓冲层，所述缓冲层的材料包括钯单质、镧镍合金或铁钛合金。

上述方案中，所述三维存储器器件还包括形成在所述存储阵列层以及所述外围器件层之间的多个互连层；相邻的两个互连层之间均包括介质层，所述缓冲层设置在多个介质层中靠近所述外围器件层的介质层中。