[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202110314414.1 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113078051B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：
在晶圆的凸起的第一面上形成薄膜层；
利用紫外线扫描所述薄膜层，以得到沿所述扫描的方向延伸的脱氢部，从而使所述薄膜层和所述晶圆在所述扫描的方向上的翘曲度减小，其中，所述脱氢部的外边界是由所述紫外线在所述薄膜层的照射区域沿所述扫描的方向移动形成的络合边界；以及
在所述晶圆的相对所述第一面的第二面形成半导体器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用紫外线扫描所述薄膜层的步骤包括：
利用紫外线沿着所述晶圆具有最大翘曲度的方向扫描所述薄膜层，使所述薄膜层和所述晶圆在所述扫描的方向上的翘曲度减小。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，还包括：
在形成所述半导体器件后，去除所述薄膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述薄膜层的材料是氮化硅。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述去除的步骤包括：
利用氢氟酸或浓磷酸去除所述薄膜层。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在晶圆的凸起的第一面形成薄膜层的步骤包括：
在所述晶圆的凸起的第一面通过外延生长工艺形成所述薄膜层。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述紫外线的波长小于300nm。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，利用紫外线扫描所述薄膜层的步骤包括：利用所述紫外线平行地往复扫描所述薄膜层。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述半导体器件包括3D NAND型闪存。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
