[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本申请提供了一种制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括：在晶圆的凸起的第一面上形成薄膜层；利用紫外线扫描所述薄膜层，使所述薄膜层和所述晶圆在所述扫描的方向上的翘曲度减小；以及在所述晶圆的相对所述第一面的第二面形成半导体器件。

技术领域

本申请涉及半导体领域，更具体的，涉及一种制造半导体器件的方法。

背景技术

在半导体领域，晶圆(wafer)是最重要的一种初级产品。半导体厂商基本都要基于晶圆来制造各种类型的半导体器件。

在晶圆上制造半导体器件时，随着各种结构、叠层的不断制造。这些结构产生的应力作用在晶圆上，进而晶圆在各种应力因素的影响下产生了弯曲(bow)。而且随着层数的增加，半导体器件在相互垂直的第一方向和第二方向上的应力具有差异。

使用这样弯曲的晶圆继续制造半导体器件会造成尺寸偏差，形态变化等不良后果。因此期望克服制造半导体器件的过程中晶圆的弯曲，并调整第一方向和第二方向之间的差异，进而使用平整的晶圆来制造半导体器件。

发明内容

本申请的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在晶圆的凸起的第一面形成薄膜层；利用紫外线扫描所述薄膜层，使所述薄膜层和所述晶圆在所述扫描的方向上的翘曲度减小；以及在所述晶圆的相对所述第一面的第二面形成半导体器件。

在一个实施方式中，利用紫外线扫描所述薄膜层的步骤包括：利用紫外线沿着所述晶圆具有最大翘曲度的方向扫描所述薄膜层，使所述薄膜层和所述晶圆在所述扫描的方向上的翘曲度减小。

在一个实施方式中，该方法还包括：在形成所述半导体器件后，去除所述薄膜层。

在一个实施方式中，所述薄膜层的材料是氮化硅。

在一个实施方式中，所述去除的步骤包括：利用氢氟酸或浓磷酸去除所述薄膜层。

在一个实施方式中，在晶圆的凸起的第一面形成薄膜层的步骤包括：在所述晶圆的凸起的第一面通过外延生长工艺形成所述薄膜层。

在一个实施方式中，所述紫外线的波长小于300nm。

在一个实施方式中，利用紫外线扫描所述薄膜层的步骤包括：利用所述紫外线平行地往复扫描所述薄膜层。

在一个实施方式中，所述半导体器件包括3D NAND型闪存。

本申请的实施例提供的制造半导体器件的方法，通过在晶圆的第一面设置具有较强拉应力的薄膜层，制造出了翘曲度较小的晶圆。该方法运用比较简单的工艺，适于调整晶圆具有的各类弯曲变形，继而克服由于晶圆变形造成的各种尺寸偏差和工艺困难。而且该方法的实施成本较低。

同时，该方法可以适应于各类半导体工艺，利用该方法制造出来的半导体器件尺寸好、工艺性能好。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是根据本申请实施方式的制造半导体器件的方法的流程框图；

图2是根据本申请实施方式的形成薄膜层步骤的工艺示意图；

图3是图2的仰视图；

图4是根据本申请实施方式的扫描步骤的工艺示意图；

图5是根据本申请实施方式的扫描后的薄膜层的仰视示意图；

图6是根据本申请实施方式的扫描后的薄膜层和晶圆的主视示意图；以及

图7是图6的左视图。

具体实施方式