[发明专利]改善晶圆翘曲的方法

权利要求书

1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底的正面上形成外延层；

在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽；

在所述外延层中形成若干第二沟槽，所述第一沟槽的开口朝向与所述第二沟槽的开口朝向相反；以及，

在所述第一沟槽中填充形成材料层。

2.如权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度与所述第二沟槽的宽度不同。

3.如权利要求2所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度为0.6μm～1μm。

4.如权利要求2或3所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度为1.5μm～2μm。

5.如权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，还包括：

在所述第二沟槽的内壁上覆盖形成氧化层。

6.如权利要求5所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，采用炉管工艺同时形成所述材料层和所述氧化层。

7.如权利要求5所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，在所述第二沟槽的内壁上覆盖形成氧化层之后，还包括：

在所述第二沟槽中填充形成多晶硅层。

8.如权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽之前，在所述外延层上形成保护膜；在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽之后，去除所述保护膜。

9.如权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽的步骤包括：

在所述衬底上形成第一图形化的光刻胶层，以所述第一图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述衬底以在所述衬底的背面中形成若干所述第一沟槽；在刻蚀完毕后，去除所述第一图形化的光刻胶层。

10.如权利要求1所述的改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，在所述外延层中形成若干第二沟槽的步骤包括：

在所述外延层上形成第二图形化的光刻胶层，以所述第二图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述外延层以在所述外延层中形成若干所述第二沟槽；在刻蚀完毕后，去除所述第二图形化的光刻胶层。