[发明专利]改善晶圆翘曲的方法

说明书

本发明提供了一种改善晶圆翘曲的方法，包括：提供一衬底，在所述衬底的正面上形成外延层；在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽；在所述外延层中形成若干第二沟槽，所述第一沟槽的开口朝向与所述第二沟槽的开口朝向相反；以及，在所述第一沟槽中填充形成材料层；本发明能够改善晶圆的翘曲度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善晶圆翘曲的方法。

背景技术

在半导体器件中，沟槽是静态感应晶体管、结型场效应晶体管、MOS、IGBT等常用结构组成，其中静态感应晶体管、结型场效应晶体管等需要在沟槽内制备金属作为肖特基；DMOS、IGBT等需要在沟槽内通过热氧化形成氧化层，并通过填充导电多晶硅形成栅极，而漏极和源极分别在功率器件的两侧，电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。然而工艺原因和器件特性导致晶圆存在翘曲的可能，若晶圆在制造过程中产生翘曲，会影响后续器件制造或器件电性能，严重情况导致晶圆报废。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善晶圆翘曲的方法。

为了达到上述目的，本发明提供了一种改善晶圆翘曲的方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底的正面上形成外延层；

在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽；

在所述外延层中形成若干第二沟槽，所述第一沟槽的开口朝向与所述第二沟槽的开口朝向相反；以及，

在所述第一沟槽中填充形成材料层。

可选的，所述第一沟槽的宽度与所述第二沟槽的宽度不同。

可选的，所述第一沟槽的宽度为0.6μm～1μm。

可选的，所述第二沟槽的宽度为1.5μm～2μm。

可选的，还包括：

在所述第二沟槽的内壁上覆盖形成氧化层。

可选的，采用炉管工艺同时形成所述材料层和所述氧化层。

可选的，在所述第二沟槽的内壁上覆盖形成氧化层之后，还包括：

在所述第二沟槽中填充形成多晶硅层。

可选的，在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽之前，在所述外延层上形成保护膜；在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽之后，去除所述保护膜。

可选的，在所述衬底的背面中形成若干第一沟槽的步骤包括：

在所述衬底上形成第一图形化的光刻胶层，以所述第一图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述衬底以在所述衬底的背面中形成若干所述第一沟槽；在刻蚀完毕后，去除所述第一图形化的光刻胶层。

可选的，在所述外延层中形成若干第二沟槽的步骤包括：

在所述外延层上形成第二图形化的光刻胶层，以所述第二图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述外延层以在所述外延层中形成若干所述第二沟槽；在刻蚀完毕后，去除所述第二图形化的光刻胶层。

在本发明提供的一种改善晶圆翘曲的方法中，通过在所述衬底的背面形成若干所述第一沟槽，然后在所述第一沟槽中填充形成所述材料层，由于所述材料层填充于所述第一沟槽中，所述材料层会对所述第一沟槽的侧壁产生横向的作用力，使晶圆边缘向所述衬底的正面方向翘曲，后续工艺在所述第二沟槽中填充其它材料时会对所述第二沟槽的侧壁产生横向的作用力，使晶圆边缘向所述衬底的背面方向翘曲，因此使晶圆边缘向所述衬底的背面方向翘曲能够改善晶圆边缘向所述衬底的正面方向翘曲的程度，最终以改善晶圆翘曲。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的改善晶圆翘曲的方法的流程图；