[发明专利]一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法

权利要求书

1.一种深孔形成方法，其特征在于，包括：

形成基底；

形成位于所述基底上的堆叠层，所述堆叠层包括若干层交替排布的第一材料层和第二材料层，至少有其中两层所述第一材料层的折射率不同，且所述其中两层所述第一材料层中，靠近所述基底的所述第一材料层的折射率小于远离所述基底的所述第一材料层的折射率；所述堆叠层包含第一子堆叠层和第二子堆叠层，所述第一子堆叠层位于所述基底与第二子堆叠层之间；所述第一子堆叠层中的所有第一材料层的折射率相同，所述第二子堆叠层中的所有第一材料层的折射率相同，所述第一子堆叠层中的第一材料层折射率小于所述第二子堆叠层中的第一材料层折射率；所述第一材料层自基底表面起，折射率依次递增，使得各层的第一材料层的折射率均与所在位置处的刻蚀气体量相匹配；

对所述堆叠层进行刻蚀以形成深孔，所述刻蚀中折射率较小的第一材料层的刻蚀速率高于折射率较大的第一材料层的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述堆叠层包含第一子堆叠层和第二子堆叠层，所述第一子堆叠层位于所述基底与第二子堆叠层之间；

所述第一子堆叠层中的所有第一材料层的折射率相同，所述第二子堆叠层中的所有第一材料层的折射率相同，所述第一子堆叠层中的第一材料层折射率小于所述第二子堆叠层中的第一材料层折射率。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，任意相邻的两个所述第一材料层中，靠近所述基底的所述第一材料层的折射率小于远离所述基底的所述第一材料层的折射率。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，任意相邻的两个所述第一材料层的折射率差值均为预设步长。

5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一材料层的折射率与所述第一材料层与所述基底之间的距离满足预设函数关系；

所述预设函数关系包括递增函数。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一材料层为氮化硅层。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的硅烷流量以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述硅烷流量和所述折射率成正比。

8.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的氨气流量以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述氨气流量和所述折射率成反比。

9.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的加工温度以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述加工温度和所述折射率成正比。

10.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的沉积速率以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述沉积速率和所述折射率成反比。

11.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二材料层的材料为氧化硅层。

12.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：权利要求1至11任一项所述的深孔形成方法。

13.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述深孔为沟道孔。