[发明专利]一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法

说明书

本发明公开了一种深孔形成方法及三维存储器的形成方法，其中，深孔形成方法形成的堆叠层包括若干层交替排布的第一材料层和第二材料层，在交替排布的第一材料层和第二材料层中，至少有其中两层第一材料层的折射率不同，且折射率不同的第一材料层中，靠近基底的第一材料层的折射率小于远离基底的第一材料层的折射率，这使得在对堆叠成进行刻蚀以形成深孔的过程中，折射率较小的第一材料层的刻蚀速率高于折射率较大的第一材料层的刻蚀速率，弥补刻蚀过程中靠近衬底的刻蚀气体量较小的实际情况，使得刻蚀后靠近衬底的第一材料层的深孔宽度与远离衬底的第一材料层的深孔宽度趋于一致，进而优化堆栈结构深孔刻蚀后的深孔尺寸。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体地说，涉及一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法。

背景技术

在三维NAND(与非)存储器的制备过程中，需要生长多层氮化物和氧化物交替堆叠设置的堆叠结构，且需要在堆叠结构基于刻蚀工艺形成深孔，以为后续形成硅立柱等结构奠定基础。

在实际制备过程中发现，现有的深孔形成过程中通常会出现如图1所示的深孔H直径不一致的问题，对后续的三维NAND存储器的制备产生不良影响。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法，技术方案如下：

一种深孔形成方法，包括：

形成基底；

形成位于所述基底上的堆叠层，所述堆叠层包括若干层交替排布的第一材料层和第二材料层，至少有其中两层所述第一材料层的折射率不同，且所述其中两层所述第一材料层中，靠近所述基底的所述第一材料层的折射率小于远离所述基底的所述第一材料层的折射率；

对所述堆叠层进行刻蚀以形成深孔，所述刻蚀中折射率较小的第一材料层的刻蚀速率高于折射率较大的第一材料层的刻蚀速率。可选的，在上述堆栈结构中，在所述第一方向上，形成所述SiN层的硅烷流量逐渐增大。

可选的，所述堆叠层包含第一子堆叠层和第二子堆叠层，所述第一子堆叠层位于所述基底与第二子堆叠层之间；

所述第一子堆叠层中的所有第一材料层的折射率相同，所述第二子堆叠层中的所有第一材料层的折射率相同，所述第一子堆叠层中的第一材料层折射率小于所述第二子堆叠层中的第一材料层折射率。

可选的，任意相邻的两个所述第一材料层中，靠近所述基底的所述第一材料层的折射率小于远离所述基底的所述第一材料层的折射率。

可选的，任意相邻的两个所述第一材料层的折射率差值均为预设步长。

可选的，所述第一材料层的折射率与所述第一材料层与所述基底之间的距离满足预设函数关系；

所述预设函数关系包括递增函数。

可选的，所述第一材料层为氮化硅层。

可选的，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的硅烷流量以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述硅烷流量和所述折射率成正比。

可选的，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的氨气流量以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述氨气流量和所述折射率成反比。

可选的，所述形成位于所述基底上的堆叠层，包括：

采用不同的加工温度以形成折射率不同的第一材料层；

其中，所述加工温度和所述折射率成正比。