[发明专利]一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)180-210℃热处理金属圆锭50-70min，水冷至室温，锻伸，得到长方形金属锭；所述长方形金属锭的长为100-140mm，宽为500-550mm，厚度为15-25mm；所述室温的温度为10-30℃；

(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；所得条状金属锭的长为100-140mm，宽为40-60mm，厚度为15-25mm；

(3)300-350℃热处理步骤(2)所得条状金属锭12-18min，冷却后进行轧制处理，得到金属板；所得金属板的长为560-640mm，宽为50-70mm，厚度为2-4mm；

(4)步骤(3)所得金属板进行喷砂处理使表面粗糙度Ra为3-8μm，冲压，得到正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的边长为5-8mm，厚度为2-4mm；正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2-0.6mm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属圆锭的直径为160-200mm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属圆锭的厚度为40-60mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述机加工的方法包括切断处理。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)180-210℃热处理直径为160-200mm且厚度为40-60mm的金属圆锭50-70min，水冷至室温，锻伸，得到长为100-140mm、宽为500-550mm且厚度为15-25mm的长方形金属锭；所述室温的温度为10-30℃；

(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为100-140mm、宽为40-60mm且厚度为15-25mm的条状金属锭；

(3)300-350℃热处理步骤(2)所得条状金属锭12-18min，冷却后进行轧制处理，得到长为560-640mm、宽为50-70mm且厚度为2-4mm的金属板；

(4)步骤(3)所得金属板进行喷砂处理使表面粗糙度Ra为3-8μm，冲压，得到边长为5-8mm且厚度为2-4mm的正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2-0.6mm。