[发明专利]一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法

说明书

本发明提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)热处理金属圆锭，锻伸，得到长方形金属锭；(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；(3)热处理步骤(2)所得条状金属锭，冷却后进行轧制处理，得到金属板；(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到三角形蒸发料。本发明所得三角形蒸发料尺寸较小，且形状独特，不易与其他形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及一种半导体蒸发料，尤其涉及一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法。

背景技术

真空蒸发镀膜是真空镀膜技术中应用最广的一种，蒸发热源包括电阻式加热、电子束轰击、高频感应以及激光加热等。电子束加热的原理是基于电子存在电位差的电场作用下，获得动能达到蒸发材料上，使材料加热气化实现蒸发镀膜。

蒸发镀膜所用材料形式较多，包括片状、颗粒状或块状。其中块状蒸发材料的形状包括锥台、环形、半环形、扇环状或盘状。与片状或颗粒状蒸发材料相比，块状蒸发材料在加热蒸发过程中，析出气体更加集中，块状蒸发材料更容易产生气体飞溅现象；且蒸发料熔化后，熔池液面易受到轰击电子电磁力的影响，容易发生波动，存在飞溅现象，不利于蒸发镀膜的顺利进行。

为了保证蒸发镀膜的质量，CN 108977770A公开了一种铜蒸发料的表面处理方法，包括：提供铜蒸发料；对所述铜蒸发料进行第一酸洗操作；在所述第一酸洗操作后，对所述铜蒸发料进行离心研磨操作；在所述离心研磨操作后，对所述铜蒸发料进行清洗操作；在所述清洗操作后，对所述铜蒸发料进行干燥处理。在第一酸洗操作后，对铜蒸发料进行离心研磨操作，所述离心研磨操作能够去除铜蒸发料表面的铜氧化物、降低所述铜蒸发料的表面粗糙度，提高所述铜蒸发料的表面光亮度和光滑度，减少铜蒸发料的表面微孔，降低铜蒸发料与空气的接触面积，提高铜蒸发料的抗氧化能力，进而提高所述铜蒸发料的纯度，相应提高铜蒸发料的质量和性能。

CN 111394697A公开了一种金属蒸发料的表面处理方法，所述表面处理方法包括如下步骤：将金属蒸发料采用有机溶剂进行超声波清洗；将超声波清洗后的金属蒸发料进行酸洗，酸洗所用酸洗液为无机混合酸；将酸洗后的金属蒸发料再次进行超声波清洗后进行干燥处理。所述表面处理方法通过对金属蒸发料依次进行超声波清洗与酸洗，有效去除蒸发料表面的杂质和氧化层，提高蒸发料的洁净度及纯度，有助于提高镀膜性能。

上述方法的思路均为清楚蒸发料表面的氧化层及杂质，未对蒸发料形状对蒸发镀膜的影响进行深入研究。

CN 202530153U公开了一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料，所述新结构蒸发材料在块状蒸发材料直接被电子束加热的端面加工一个具有一定尺寸和形状的凹槽，在使用时，将片状或颗粒状同材质蒸发料放入凹槽内一起熔融蒸发，可以有效减少和避免传统锥台蒸发料在蒸发起始时发生的熔体飞溅，和蒸发过程中的熔体外溢。所述新结构蒸发材料通过凹槽的设置，使新结构蒸发材料与片状或颗粒状蒸发材料相配合，共同提高了蒸发镀膜质量。

但在镀膜的实际操作工程中，存在镀多种材料的情况，而当所镀材料的形状相似或相同时，在使用过程中不易区分，容易造成混料的风险；而且在镀膜过程中也需要进一步提高所得蒸发料的粒径均一度，保证镀膜质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法，所述半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状独特，不易与其它形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

(1)热处理金属圆锭，锻伸，得到长方形金属锭；