[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202110315792.1 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113073299B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;杨慧珍 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C22C27/06;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/24 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 制备 方法 | ||
1.一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)保护气氛下球磨混合铬粉与硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的质量分数不超过16wt％；所述铬粉的粒径75μm，硅粉的粒径3μm；
(2)步骤(1)所得混合料装模压实，然后进行抽真空处理；
(3)完成步骤(2)所述抽真空处理后，进行温度为1100-1200℃的第一热处理，第一热处理过程中压力不超过6MPa；
(4)依次进行第二热处理、第一加压、第二加压与保温保压；所述第二热处理的温度为1280-1350℃；所述第一加压为均匀加压至20MPa；所述第二加压为均匀加压至30MPa；所述保温保压的时间为100-150min；
(5)保温保压结束后进行保护性气体置换，至压力为-0.06MPag至-0.08MPag，然后进行随炉冷却；
(6)机加工至所需尺寸，完成铬硅合金溅射靶材的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬粉的粒径为30-60μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铬粉的纯度≥5N。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅粉的纯度≥5N。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述保护气氛所用气体包括氮气和/或惰性气体。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气、氖气或氩气中的任意一种或至少两种的组合。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述球磨混合的研磨球包括硅球和/或铬球。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述球磨混合的料球比为(8-12):1。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述球磨混合的时间≥36h。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述装模压实后，平面度≤0.5mm。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述抽真空处理的终点为真空度降至100Pa以下。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述第一热处理的升温速率为5-10℃/min。
13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述第一热处理的保温时间为80-100min。
14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述第二热处理的升温速率为4-6℃/min。
15.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述第二热处理的保温时间≥1h。
16.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述第一加压的时间为30-60min。
17.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述第二加压的时间为30-60min。
18.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述保护性气体包括氮气和/或惰性气体。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气、氖气或氩气中的任意一种或至少两种的组合。
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