[发明专利]含氟化镁膜层的减反膜系及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110316285.X 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113064225B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 蒯泽文;张礼勋;董畅;袁银潮;阮高梁 申请(专利权)人: 浙江舜宇光学有限公司
主分类号: G02B1/115 分类号: G02B1/115;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/22
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 刘娜
地址: 315499 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 氟化 镁膜层 减反膜系 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,包括:

基底层(10);

多个第一膜层(20);

多个第二膜层(30),所述第一膜层(20)的折射率大于所述第二膜层(30)的折射率,多个所述第一膜层(20)和多个所述第二膜层(30)中的至少一个所述第二膜层(30)交替叠置形成过渡层,所述过渡层与所述基底层(10)连接,所述过渡层远离所述基底层(10)的一侧为所述第一膜层(20);

氟化镁膜层(40),所述氟化镁膜层(40)连接在所述过渡层远离所述基底层(10)的一侧,所述氟化镁膜层(40)远离所述过渡层的一侧表面与多个所述第二膜层(30)中的至少另一个所述第二膜层(30)连接,所述第一膜层(20)的折射率大于2.3,所述第二膜层(30)的折射率小于1.7,所述第一膜层(20)与所述第二膜层(30)的折射率差大于0.6;

所述减反膜系对波长在850nm至1000nm的范围内的光的波长的最大反射率小于等于1%;

镀膜形成减反膜系,离子源辅助沉积系统对膜层进行辅助沉积以增强膜层的致密度,冷却后对所述减反膜系进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述第一膜层(20)的材料为Ti的氧化物。

3.根据权利要求1所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述第二膜层(30)的材料包括SiO2、SiO2与Al2O3的混合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述基底层(10)材料包括EP、APEL、K26R中的至少一种。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述基底层(10)的折射率大于等于1.5且小于等于1.8。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述过渡层为五层时,从所述基底层(10)的一侧开始为第一个所述第一膜层(20)、第一个所述第二膜层(30)、第二个所述第一膜层(20)、第二个所述第二膜层(30)、第三个所述第一膜层(20)形成所述过渡层,且第一个所述第一膜层(20)、第一个所述第二膜层(30)、第二个所述第一膜层(20)、第二个所述第二膜层(30)、第三个所述第一膜层(20)、所述氟化镁膜层(40)和所述第三个所述第二膜层(30)的厚度的比值为10:30:50:10:30:90:15。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述过渡层为七层时,从所述基底层(10)的一侧开始为第一个所述第一膜层(20)、第一个所述第二膜层(30)、第二个所述第一膜层(20)、第二个所述第二膜层(30)、第三个所述第一膜层(20)、第三个所述第二膜层(30)、第四个所述第一膜层(20)形成所述过渡层,且第一个所述第一膜层(20)、第一个所述第二膜层(30)、第二个所述第一膜层(20)、第二个所述第二膜层(30)、第三个所述第一膜层(20)、第三个所述第二膜层(30),第四个所述第一膜层(20)、所述氟化镁膜层(40)和所述第四个所述第二膜层(30)的厚度的比值为10:50:20:20:100:10:30:90:15。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述减反膜系对波长在430nm至750nm的范围内的光的波长的最大反射率小于等于0.6%。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述减反膜系对波长在420nm至500nm的范围内的光的最小透过率大于等于93%。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的含氟化镁膜层的减反膜系,其特征在于,所述减反膜系对波长在500nm至850nm的范围内的光的最小透过率大于等于97%。

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