[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在晶圆的第一导电部件上方形成晶种层；

在所述晶种层上方形成图案化镀掩模；

在所述图案化镀掩模中的开口中镀第二导电部件，其中，所述镀包括执行多次镀循环，所述多次镀循环的每个都包括：

使用第一镀电流密度执行的第一镀工艺；以及

使用小于所述第一镀电流密度的第二镀电流密度执行的第二镀工艺；

去除所述图案化镀掩模；以及

蚀刻所述晶种层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一镀工艺和所述第二镀工艺配置为用于形成多个纳米柱，所述多个纳米柱的每一个包括多个堆叠纳米板。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个堆叠纳米板的每一个包括多个晶粒，并且所述多个堆叠纳米板的所述每一个是大于其中的对应的所述多个晶粒的晶粒，并且所述多个堆叠纳米板的所述每一个包括清晰的晶界。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一镀工艺执行第一时间段，所述第二镀工艺执行长于所述第一时间段的第二时间段，并且其中所述第一镀电流密度与所述第二镀电流密度的比率介于约10到约40之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述第一镀电流密度执行的所述第一镀工艺和使用所述第二镀电流密度执行的所述第二镀工艺是交替的。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二导电部件上方沉积钝化层；

在所述钝化层上方沉积平坦化层；

蚀刻穿过所述平坦化层和所述钝化层；以及

形成延伸到所述平坦化层和所述钝化层的第三导电部件，以与所述第二导电部件进行电连接。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括，在镀所述第二导电部件前，在所述晶种层上镀多晶过渡层，其中，所述多晶过渡层中没有纳米柱。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用高于所述第二镀电流密度的第三镀电流密度来镀所述多晶过渡层。

9.一种半导体器件，包括：

第一介电层；

再分布线，包括位于所述第一介电层上方的部分，其中，所述再分布线的所述部分包括：

多个纳米柱，沿与所述第一介电层的主顶面垂直的方向延伸，其中，所述多个纳米柱的每一个还包括多个纳米板；以及

第二介电层，在所述再分布线的侧壁和第二顶面上延伸。

10.一种半导体器件，包括：

第一钝化层；

再分布线，包括晶种层和位于所述晶种层上方的导电部件，其中，所述导电部件包括：

通孔部分，延伸至所述第一钝化层中，其中所述通孔部分具有多晶结构；

线部分，其中，所述线部分包括位于所述通孔部分和所述第一钝化层上方的多个纳米柱；以及

第二钝化层，在所述多个纳米柱的侧壁和顶面上延伸。