[发明专利]承载装置及承载系统在审
申请号: | 202110321825.3 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113066751A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 陈鲁;李少雷;张朝前;马砚忠;卢继奎;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 寇闯 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 系统 | ||
本申请公开了一种承载装置及承载系统,承载装置包括承载本体、吸附件以及驱动装置,承载本体的承载面一侧设有多个容置槽,容置槽的底部设有通孔,驱动装置贯穿通孔设置,吸附件的一端设有吸附面,吸附面与待测件吸附连接,吸附件的另一端收容于容置槽内,并与驱动装置连接;吸附件开设有吸附孔,吸附孔贯穿吸附件,并与真空气路连通,吸附孔用于对晶圆进行吸附;驱动装置用于带动吸附件沿承载面的法线方向往复移动。承载装置通过分布在承载本体上不同位置的吸附件对不同区域的待测件进行吸附,从而使待测件的不同区域均能够通过真空吸附的方式进行压平,从而提高待测件的检测精度。
技术领域
本申请涉及检测技术领域,尤其涉及一种承载装置及承载系统。
背景技术
晶圆在制备过程中,经常会由于晶圆的内应力导致晶圆出现翘曲的情况,而翘曲的晶圆在进行晶圆检测时,晶圆的翘曲程度会影响晶圆的检测精度,现有的翘曲校正装置,主要是通过压板整体对翘曲的晶圆进行按压,使翘曲晶圆整体被压平,但是不同形状的压板会导致晶圆的翘曲部分可能无法被完全压平,并且无法对特定位置进行单独按压,从而影响晶圆的检测精度。
发明内容
本申请实施例提供一种承载装置及承载系统。
第一方面,本申请实施例提供一种承载装置,所述承载装置包括承载本体、吸附件以及驱动装置,所述承载本体的承载面一侧设有多个容置槽,所述容置槽的底部设有通孔,所述驱动装置贯穿所述通孔设置,所述吸附件的一端设有吸附面,所述吸附面与待测件吸附连接,所述吸附件的另一端收容于所述容置槽内,并与所述驱动装置连接;
所述吸附件开设有吸附孔,所述吸附孔贯穿所述吸附件,并与真空气路连通,所述吸附孔用于对晶圆进行吸附;
所述驱动装置用于带动所述吸附件沿所述承载面的法线方向往复移动。
可选的,所述容置槽沿所述承载本体的承载面的周向均匀间隔分布,每一个所述容置槽与一个所述吸附件一一对应设置。
可选的,所述容置槽沿所述容置槽的底部向所述承载面的内径逐渐增大。
可选的,所述吸附件包括吸附部与支撑部,所述支撑部的一端与所述驱动装置连接,另一端与所述吸附部活动连接,所述吸附孔贯穿所述吸附部与所述支撑部设置,所述支撑部的直径小于所述容置槽的内径,所述吸附部的直径大于所述容置槽的内径。
可选的,所述承载本体的所述承载面一侧设有定位凹槽,所述定位凹槽与所述容置槽的共心设置,所述定位凹槽的内径与所述吸附部的直径相同。
可选的,所述吸附件还包括转动件,所述转动件的一端与所述支撑部连接,另一端与所述吸附部连接,所述转动件用以带动所述吸附部转动。
可选的,所述支撑部靠近所述吸附部的一侧开设有转动凹槽,所述吸附部靠近所述支撑部的一侧设有转动凸起,所述转动凹槽与所述转动凸起活动连接。
可选的,所述容置槽的底部为第一弧面结构,所述支撑部的底部为第二弧面结构,所述第一弧面结构的曲率半径大于或等于所述第二弧面结构的曲率半径。
可选的,所述吸附部与所述支撑部可拆卸连接,所述吸附孔贯穿所述吸附部与所述支撑部设置。
第二方面,本申请实施例提供一种承载系统,所述承载系统包括如上述任一项实施方式所述的承载装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造