[发明专利]一种沉积液相分离二维材料的方法、薄膜及应用有效
申请号: | 202110322090.6 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113140653B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 胡伟达;付晓;苗金水;张蕾;徐志昊;左文彬;郝春慧;李唐鑫;王津金 | 申请(专利权)人: | 国科大杭州高等研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/109;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 邓世凤 |
地址: | 315731 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉积 分离 二维 材料 方法 薄膜 应用 | ||
1.一种通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:沉积液相分离二维材料的方法包括:将二维材料分散在溶剂或者混合溶液中,离心分离和/或高速离心得到二维材料纳米片和/或量子点,将上述二维材料纳米片和/或量子点混合在可以雾化的液体载体中,并经超声雾化定向超声雾化,将经雾化后的含二维材料纳米片或者量子点的液体载体定向飘向衬底以在衬底上沉积,并同时对衬底加热蒸发液体载体,以在衬底上留下层状二维纳米片或者量子点薄膜,按照沉积液相分离二维材料的方法将石墨纳米片沉积在PET衬底上得到石墨纳米片薄膜底电极,在石墨纳米片薄膜底电极的基础上,按照所述的沉积液相分离二维材料的方法沉积n型MoS2纳米片,再在此基础上沉积p型SnS纳米片,然后再在此基础上沉积一层石墨纳米片薄膜顶电极,以得到形成在透明柔性衬底上的石墨烯/MoS2/SnS/石墨烯异质结器件。
2.根据权利要求1所述的通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:所述二维材料为石墨片或者MoS2或者SnS。
3.根据权利要求1所述的通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:所述衬底为PET衬底或者氧化硅衬底或者透明ITO衬底。
4. 根据权利要求1所述的通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:所述离心分离的转速为2000~5000 rpm,离心时间为10~60 min。
5. 根据权利要求1所述的通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:所述高速离心的转速为8000~10000 rpm,离心时间为30~120 min。
6. 根据权利要求1所述的通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:衬底的加热温度为80~100 ℃,沉积时间为3~30 min。
7. 根据权利要求1所述的通过沉积液相分离二维材料的方法制备的范德华异质结器件,其特征在于:超声雾化的频率为2.4 GHz。
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