[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成叠层结构，并在所述叠层结构的核心区域中形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的沟道结构；

在所述核心区域中形成第一栅线间隙和第二栅线间隙，所述第一栅线间隙和所述第二栅线间隙贯穿所述叠层结构并且在平行于所述衬底的第一方向上间隔设置，所述第一栅线间隙将所述核心区域分割成多个存储块区域，每个所述存储块区域包括阵列式排布的多个所述沟道结构和至少一个第二栅线间隙，

其中，所述第一栅线间隙在所述第一方向的关键尺寸小于所述第二栅线间隙在所述第一方向的关键尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用多晶硅完全填充所述第一栅线间隙，并在所述第二栅线间隙的内壁上形成多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底包括远离所述叠层结构的基底和依次设置在所述基底上的支撑层、衬底牺牲叠层以及盖层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述沟道结构包括沟道孔和依次设置在沟道孔的内壁上的功能层和沟道层，所述第二栅线间隙延伸至所述盖层中，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二栅线间隙的底部形成第一开口以暴露出所述衬底牺牲叠层；

通过所述第一开口，去除所述衬底牺牲叠层以形成空腔；

去除暴露在所述空腔中的、所述沟道孔的侧壁上的所述功能层，至暴露出所述沟道层，并形成第一衬底间隙；以及

在所述第一衬底间隙中填充导电材料形成与所述沟道层连接的导电层。

5.根据权利要求4所述的方法，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和绝缘层，其特征在于，所述方法还包括：

去除所述第二栅线间隙内壁上的所述多晶硅层；

通过所述第二栅线间隙去除所述牺牲层以形成牺牲间隙；以及

在所述牺牲间隙内填充导电材料形成栅极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一栅线间隙中完全填充多晶硅，并在所述第二栅线间隙的内壁上形成多晶硅层之前，所述方法还包括：

在所述第一栅线间隙和所述第二栅线间隙的内壁上形成氧化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二栅线间隙内壁上的所述多晶硅层的步骤还包括：

去除所述第二栅线间隙内壁上的所述氧化层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述牺牲间隙内填充导电材料形成栅极层之前，所述方法还包括：

在所述牺牲间隙的内壁和所述第二栅线间隙的内壁上形成阻隔层。

9.根据权利要求5或8所述的方法，其特征在于，在所述牺牲间隙内填充导电材料形成栅极层之后，所述方法还包括：

在所述第二栅线间隙中形成填充层。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，设置于所述衬底上；以及

沟道结构，贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中；

其中，所述叠层结构由贯穿所述叠层结构的第一栅线间隙结构分割成多个存储块区域，每个所述存储块区域包括阵列式排布的多个所述沟道结构；

每个所述存储块区域设置有与所述第一栅线间隙结构在平行于所述衬底的第一方向上间隔设置的、且贯穿所述叠层结构的第二栅线间隙结构；以及

所述第一栅线间隙结构在所述第一方向的关键尺寸小于所述第二栅线间隙结构在所述第一方向的关键尺寸。

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，

所述第一栅线间隙结构在垂直于所述第一方向的第二方向延伸，并包括第一栅线间隙以及完全填充所述第一栅线间隙的多晶硅层。