[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110323591.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078109B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王蒙蒙;黄信斌;张强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底中形成有底部保护墙；
在所述衬底上形成掩膜层；
在所述掩膜层上形成光刻胶层；
在所述光刻胶层上形成开口图案；
利用所述开口图案刻蚀所述掩膜层和所述衬底而在所述掩膜层中形成凹槽，所述凹槽是通过具有倾斜侧壁的所述开口图案刻蚀所述掩膜层和所述衬底形成，或者，所述凹槽是通过干法离子倾斜刻蚀所述掩膜层和所述衬底形成；
所述凹槽的侧壁与所述底部保护墙的侧壁具有一不为零的夹角，且所述凹槽的底部延至所述衬底的内部；
在所述凹槽中形成顶部保护墙，所述顶部保护墙与所述底部保护墙直接接触，所述顶部保护墙的上部宽度小于或等于所述顶部保护墙的下部宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层上形成开口图案的方法，包括:
利用正离焦的方式对所述光刻胶层进行曝光并显影形成所述开口图案；
其中，所述开口图案的侧壁与所述开口图案的底面的夹角大于90°。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层上形成开口图案的方法，包括:
利用负离焦的方式对所述光刻胶层进行曝光并显影形成所述开口图案；
其中，所述开口图案的侧壁与所述开口图案的底面的夹角小于90°。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
所述正离焦或负离焦的离焦距离为所述光刻胶层厚度的20％～50％。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述夹角为锐角。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述夹角的范围为10°～45°。
7.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构经由权利要求1～6任一项所述的半导体结构的制作方法制成。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述夹角为锐角。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述夹角的范围为10°～45°。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部保护墙的上部宽度小于所述顶部保护墙的下部宽度。
11.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部保护墙的上部宽度等于所述顶部保护墙的下部宽度。
12.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部保护墙和所述底部保护墙在所述衬底表面上的投影中心不重合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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