[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本发明提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有底部保护墙；在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成凹槽，所述凹槽的侧壁与所述底部保护墙的侧壁具有一不为零的夹角，且所述凹槽的底部延伸至所述衬底的内部；在所述凹槽中形成顶部保护墙，所述顶部保护墙与所述底部保护墙直接接触。本发明提出的半导体结构和制作方法，通过形成侧壁倾斜的顶部保护墙，可以减弱芯片切割时裂缝或应力在顶部保护墙上的破坏能力，提高顶部保护墙的保护效果。

技术领域

本发明涉及半导体制备工艺技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

在晶圆制作过程中，需要在芯片外围区域设置保护结构，防止晶圆在切割时对芯片内部造成破坏。但是，现有的保护结构的保护效果仍然有待提高。

发明内容

本发明提供一种具有较好保护效果的半导体结构的制作方法和半导体结构。

本发明公开了一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有底部保护墙；在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层中形成凹槽，所述凹槽的侧壁与所述底部保护墙的侧壁具有一不为零的夹角，且所述凹槽的底部延至所述衬底的内部；在所述凹槽中形成顶部保护墙，所述顶部保护墙与所述底部保护墙直接接触。

可选的，所述在所述掩膜层中形成凹槽的方法，包括：在所述掩膜层上形成光刻胶层；在所述光刻胶层上形成开口图案，所述开口图案具有倾斜的侧壁；利用所述开口图案刻蚀所述掩膜层和所述衬底。

可选的，所述在所述光刻胶层上形成开口图案的方法，包括:利用正离焦的方式对所述光刻胶层进行曝光并显影形成所述开口图案；其中，所述开口图案的侧壁与所述开口图案的底面的夹角大于90°。

可选的，所述在所述光刻胶层上形成开口图案的方法，包括:利用负离焦的方式对所述光刻胶层进行曝光并显影形成所述开口图案；其中，所述开口图案的侧壁与所述开口图案的底面的夹角小于90°。

可选的，所述正离焦或负离焦的离焦距离为所述光刻胶层厚度的20％～50％。

可选的，所述在所述掩膜层中形成凹槽的方法，包括：在所述掩膜层上形成光刻胶层；在所述光刻胶层上形成开口图案；利用干法离子倾斜刻蚀所述掩膜层和所述衬底。

可选的，所述夹角为锐角。

可选的，所述夹角的范围为10°～45°。

本发明还公开了一种半导体结构，包括：衬底以及位于所述衬底中的底部保护墙；凹槽，位于所述衬底上的掩膜层中且所述凹槽的底部延伸至所述衬底的内部；其中，所述凹槽的侧壁与所述底部保护墙的侧壁具有一不为零的夹角；位于所述凹槽中的顶部保护墙，所述顶部保护墙和所述底部保护墙直接接触。

可选的，所述夹角为锐角。

可选的，所述夹角的范围为10°～45°。

可选的，所述顶部保护墙的上部宽度大于所述顶部保护墙的下部宽度。

可选的，所述顶部保护墙的上部宽度小于所述顶部保护墙的下部宽度。

可选的，所述顶部保护墙的上部宽度等于所述顶部保护墙的下部宽度。

可选的，所述顶部保护墙和所述底部保护墙在所述衬底表面上的投影中心不重合。

本发明提出的半导体结构的制作方法和半导体结构，通过形成侧壁倾斜的顶部保护墙，可以减弱芯片切割时裂缝在顶部保护墙上的破坏能力，提高顶部保护墙的保护效果。

附图说明