[发明专利]一种宽带高平坦度太赫兹片间互连结构

权利要求书

1.一种宽带高平坦度的太赫兹片间互连结构，包括：介质波导、以及关于介质波导呈轴对称设置的两个片上耦合结构（2）；其特征在于，

所述片上耦合结构（2）包括：硅衬底（2-1）、氧化层（2-2）、钝化层（2-3）、信号线（2-4）及金属地，其中，所述金属地包括：底层金属地（2-5）与上层金属地（2-6），所述底层金属地（2-5）设置于硅衬底（2-1）上，所述氧化层（2-2）设置于底层金属地（2-5）上，所述信号线（2-4）与上层金属地（2-6）均嵌入氧化层（2-2）上表面，所述钝化层（2-3）覆盖于氧化层（2-2）上；

所述介质波导（1）为矩形介质波导，介质波导连接于钝化层（2-3）上，介质波导完全覆盖信号线（2-4）、且信号线（2-4）位于介质波导的正下方；

所述上层金属地（2-6）由两个侧金属地构成，所述信号线（2-4）由两个周期性结构单元连接构成、且位于两侧金属地的中间，每个单元的中心处对称设置有正交方向的支节。

2.按权利要求1所述宽带高平坦度的太赫兹片间互连结构，其特征在于，所述信号线（2-4）的周期性结构单元的长度为λ，λ为工作波长。

3.按权利要求1所述宽带高平坦度的太赫兹片间互连结构，其特征在于，所述介质波导与片上耦合结构通过连接胶（3）相连接。

4.按权利要求2所述宽带高平坦度的太赫兹片间互连结构，其特征在于，所述两个侧金属地之间的间距为1/2λ，且底层金属地的覆盖面积应大于上层金属地的覆盖面积。

5.按权利要求2所述宽带高平坦度的太赫兹片间互连结构，其特征在于，所述支节的长度小于1/4λ，且支节不与侧金属地相接触。