[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法有效
| 申请号： | 202110325602.4 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078062B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张园览;张清纯 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/266;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制造 方法 | ||
1.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底层；
在所述衬底层上形成漂移层；
在所述漂移层的表面形成图形化的掩膜层；
以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述漂移层进行刻蚀，在所述漂移层中形成凹槽；
形成所述凹槽之后，横向刻蚀所述掩膜层以暴露所述凹槽周围的漂移层的顶部表面；横向刻蚀所述掩膜层之后，以所述掩膜层为掩膜在所述凹槽侧壁和底部的漂移层形成掺杂层，所述掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；
形成所述掺杂层之后，去除所述图形化的掩膜层；
所述掩膜层包括层叠的第一掩膜层和第二掩膜层，所述第一掩膜层与所述漂移层之间的距离小于所述第二掩膜层与所述漂移层之间的距离，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料不同，在所述横向刻蚀所述掩膜层以暴露所述凹槽周围的漂移层的顶部表面的过程中，所述第一掩膜层的横向刻蚀速率小于所述第二掩膜层的横向刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，
所述形成掺杂层的工艺包括自对准离子注入工艺。
3.根据权利要求2所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，
所述离子注入工艺的注入能量为100KeV-1MeV。
4.根据权利要求2或3所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，
所述离子注入工艺的注入夹角为0°～60°，所述注入夹角为离子注入的方向和垂直于所述漂移层延伸平面的法线的锐角夹角。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，
所述凹槽任一单侧侧部的所述掺杂层的横向尺寸为所述凹槽的横向尺寸的10％～50％；
所述凹槽底部的所述掺杂层的纵向尺寸为所述凹槽的纵向尺寸的10％～50％。
6.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，
所述凹槽任一单侧侧部的所述掺杂层的横向尺寸为0.2μm～1μm；
所述凹槽底部的所述掺杂层的纵向尺寸为0.2μm～1μm。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，横向刻蚀所述掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺。
8.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，
所述漂移层的材料包括碳化硅；
所述掩膜层的材料包括SiO2。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，还包括：去除所述图形化的掩膜层之后，在漂移层背向所述衬底层的表面形成阳极层，且所述阳极层还填充所述凹槽；在所述衬底层背向所述漂移层的表面形成阴极层。
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