[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的多个相互分立的导电结构；

在各个所述导电结构的上表面形成绝缘层；

形成隔离结构，所述隔离结构位于每个所述导电结构的侧壁和每个所述绝缘层的侧壁；

去除部分位于所述绝缘层侧壁的所述隔离结构，剩余的所述隔离结构的上表面高于所述导电结构的上表面；

去除部分远离所述导电结构的所述绝缘层，在垂直于所述绝缘层侧壁的方向上，剩余的所述绝缘层顶部的宽度小于剩余的所述绝缘层底部的宽度；

所述基底表面、所述隔离结构侧壁和所述绝缘层侧壁围成沟槽，在垂直于所述沟槽侧壁的方向上，所述沟槽开口处的宽度大于所述沟槽底部的宽度；

形成填充满所述沟槽的导电接触层，且不同所述沟槽内的所述导电接触层相互电绝缘；

其中，所述导电结构为位线结构；在形成所述隔离结构之后，去除部分所述隔离结构之前，在所述基底上形成电容接触层，所述电容接触层位于相邻的所述隔离结构之间，且所述电容接触层的上表面高于所述位线结构的上表面，所述电容接触层的上表面低于所述绝缘层的上表面；

在去除部分所述绝缘层之后，在暴露出的所述电容接触层表面、所述隔离结构的表面和所述绝缘层的侧壁形成电容阻挡层；

在所述电容阻挡层表面形成填充所述沟槽的电容导电层，不同所述沟槽内填充的所述电容导电层相互电绝缘；

每一所述沟槽内的所述电容接触层、所述电容阻挡层和所述电容导电层组成电容接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各向同性刻蚀去除部分位于所述绝缘层侧壁的所述隔离结构和去除远离所述导电结构的部分所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除远离所述导电结构的部分所述绝缘层包括：去除所述绝缘层的顶部相对两侧，使得在每一所述绝缘层顶部两端形成凹槽，所述凹槽的底部高于或齐平于剩余的所述隔离结构的上表面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在平行于所述导电结构侧壁的方向上，每一所述凹槽的厚度占所述导电结构厚度的2.5%~25%。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在平行于所述导电结构侧壁的方向上，每一所述凹槽的厚度为1纳米~20纳米。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构包括第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层；所述第二隔离层位于所述第一隔离层和所述第三隔离层之间，所述第一隔离层靠近所述沟槽，所述第三隔离层与所述导电结构接触；

在去除远离所述导电结构的部分所述绝缘层之后，去除所述第二隔离层，形成间隙，在所述间隙的顶部形成填充层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述填充层的步骤包括：在所述间隙顶部和所述绝缘层侧壁形成初始填充层，去除位于所述绝缘层侧壁的所述初始填充层，剩余的所述初始填充层作为所述填充层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料和所述第三隔离层的材料相同，所述第一隔离层的材料和所述第二隔离层的材料不同。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述电容接触层包括：在所述隔离结构之间、所述隔离结构上表面和所述绝缘层上表面形成初始电容接触层；去除位于所述隔离结构上表面、所述绝缘层上表面和部分所述隔离结构之间的所述初始电容接触层，剩余的所述初始电容接触层作为所述电容接触层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电容接触层的上表面高于所述位线结构的上表面5纳米~15纳米。