[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：提供基底以及位于基底上的多个相互分立的导电结构；在各个导电结构的上表面形成绝缘层；形成隔离结构，隔离结构位于每个导电结构的侧壁和每个绝缘层的侧壁；去除部分位于绝缘层侧壁的隔离结构，剩余的隔离结构的上表面高于导电结构的上表面；去除部分远离导电结构的绝缘层，在垂直于绝缘层侧壁的方向上，剩余的绝缘层顶部的宽度小于剩余的绝缘层底部的宽度；基底表面、隔离结构侧壁和绝缘层侧壁围成沟槽，在垂直于沟槽侧壁的方向上，沟槽开口处的宽度大于沟槽底部的宽度。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着DRAM存储单元阵列的尺寸越来越小，其导电接触窗口的尺寸也越来越小，严重的影响着半导体结构的性能。

如何提高半导体结构导电接触窗口的尺寸，是本领域技术人员亟须解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，有利于解决半导体结构导电接触窗口尺寸太小的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底以及位于所述基底上的多个相互分立的导电结构；在各个所述导电结构的上表面形成绝缘层；形成隔离结构，所述隔离结构位于每个所述导电结构的侧壁和每个所述绝缘层的侧壁；去除部分位于所述绝缘层侧壁的所述隔离结构，剩余的所述隔离结构的上表面高于所述导电结构的上表面；去除部分远离所述导电结构的所述绝缘层，在垂直于所述绝缘层侧壁的方向上，剩余的所述绝缘层顶部的宽度小于剩余的所述绝缘层底部的宽度；所述基底表面、所述隔离结构侧壁和所述绝缘层侧壁围成沟槽，在垂直于所述沟槽侧壁的方向上，所述沟槽开口处的宽度大于所述沟槽底部的宽度。

另外，各向同性刻蚀去除部分位于所述绝缘层侧壁的所述隔离结构和去除远离所述导电结构的部分所述绝缘层。

另外，所述去除远离所述导电结构的部分所述绝缘层包括：去除所述绝缘层的顶部相对两侧，使得在每一所述绝缘层顶部两端形成凹槽，所述凹槽的底部高于或齐平于剩余的所述隔离结构的上表面。

另外，在平行于所述导电结构侧壁的方向上，每一所述凹槽的厚度占所述导电结构厚度的2.5％～25％。

另外，在平行于所述导电结构侧壁的方向上，每一所述凹槽的厚度为1纳米～20纳米。

另外，所述隔离结构包括第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层；所述第二隔离层位于所述第一隔离层和所述第三隔离层之间，所述第一隔离层靠近所述沟槽，所述第三隔离层与所述导电结构接触；在去除远离所述导电结构的部分所述绝缘层之后，去除所述第二隔离层，形成间隙，在所述间隙的顶部形成填充层。

另外，形成所述填充层的步骤包括：在所述间隙顶部和所述绝缘层侧壁形成初始填充层，去除位于所述绝缘层侧壁的所述初始填充层，剩余的所述初始填充层作为所述填充层。

另外，所述第一隔离层的材料和所述第三隔离层的材料相同，所述第一隔离层的材料和所述第二隔离层的材料不同。

另外，形成填充满所述沟槽的导电接触层，且不同所述沟槽内的所述导电接触层相互电绝缘。