[发明专利]一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法

权利要求书

1.一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括上下料区、真空前处理室、中真空抽气机组、高真空抽气机组、偏向磁控圆柱旋转靶、真空镀膜室、工件架、远红外加热管、射频轰击板、深冷机组、电控箱；

所述真空前处理室与中真空抽气机组连接，所述真空镀膜室与中真空抽气机组、高真空抽气机组连接；

所述中真空抽气机组包括通过抽气管和气动阀与真空前处理室腔体连通的真空干式泵组，该真空前处理室内设置远红外加热管、射频轰击板；

所述真空镀膜室设置偏向磁控圆柱旋转靶、高真空抽气机组；

所述深冷机组设置有连通真空前处理室腔体外壁、真空镀膜室腔体外壁的冰水管和引入真空镀膜室的冰水管。

2.如权利要求1所述SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于，真空镀膜室设置有4至8套5～15度偏向磁控旋转靶，其中1套为不锈钢圆柱旋转靶，其他为铜圆柱旋转靶。

3.一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在上下料区将SiP工件固定在覆上双面胶的载具内，将载具固定在工件架上送入真空前处理室；

步骤二、工件架进入真空前处理室定位后，中真空抽气机组对真空前处理室进行抽真空并开启远红外加热管将工件加热至80～100摄氏度，边加热边抽真空将工件产生的逸气抽离；

步骤三、中真空抽气机组对真空前处理室持续进行抽真空，将真空度抽到-10～-50Pa时，射频轰击板对工件进行离子轰击处理；

步骤四、完成工件离子轰击后，将工件架传输到真空镀膜室；

步骤五、工件架传送到真空镀膜室定位后，工件架由马达驱动以20～50rpm速度进行正向转动，同时，偏向磁控圆柱旋转靶对工件进行膜层SUS/Cu/SUS镀膜处理，同时启动深冷机组利用非镀膜间隔空档期对工件进行冷却，在镀膜中途对工件架进行反向转动后继续镀膜，直到所有镀膜达到设定膜厚0.1um/4～6um/0.3um的要求，并回传送至真空前处理室；

步骤六、当工件架送至真空前处理室定位后，进行破真空作业，当真空前处理室内的气压与室外的大气压平衡后，工件架被传送到真空前处理室外的上下料区。