[发明专利]一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法

说明书

本发明公开了一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法，真空前处理室与中真空抽气机组连接，真空镀膜室与中真空抽气机组、高真空抽气机组连接；中真空抽气机组包括通过抽气管和气动阀与真空前处理室腔体连通的真空干式泵组，该真空前处理室内设置远红外加热管、射频轰击板；真空镀膜室设置偏向磁控圆柱旋转靶、高真空抽气机组；深冷机组设置有连通真空前处理室腔体外壁、真空镀膜室腔体外壁的冰水管和引入真空镀膜室的冰水管。本发明立式设置，占地空间小，降低了设备成本及功率消耗，提高了产品品质及生产效率，避免了持续镀膜造成急速温升不降，旋转镀膜使得镀膜更加均匀。

技术领域

本发明属于芯片封装领域，尤其涉及一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法。

背景技术

SIP(System-in-package系统级封装)是将多种功能的芯片或者无源器件在三维空间内组装到一起，如处理器、存储器、传感器等功能芯片混合搭载于同一封装体之内，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统的封装技术。但因封装体内有诸多PA，WiFi/BT、Memory等，为了防止封装模组受到外部干扰或者模组内芯片之间的相互干扰，电磁屏蔽设计是必要的。

传统的磁控溅射EMI屏蔽是采用卧式连续溅镀机来实现，但因SiP芯片的EMI镀膜要求膜厚较厚，侧边镀膜覆盖率要求高且有制程温度限制。若采用传统卧式连续溅镀机会有设备占地空间大，功耗高且设备造价高等缺点；同时也无法有效克服侧边镀膜覆盖率问题，因而造成镀膜效率降低及温升。

发明内容

针对传统卧式连续溅镀机占地空间大，功耗高，设备造价高，无法有效克服侧边镀膜覆盖率问题而造成镀膜效率降低及温升的问题，本发明提供了一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备及方法。

本发明是这样实现的，一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜设备包括上下料区、真空前处理室、中真空抽气机组、高真空抽气机组、偏向磁控圆柱旋转靶、真空镀膜室、工件架、远红外加热管、射频轰击板、深冷机组、电控箱；

所述真空前处理室与中真空抽气机组连接，所述真空镀膜室与中真空抽气机组、高真空抽气机组连接；

所述中真空抽气机组包括通过抽气管和气动阀与真空前处理室腔体连通的真空干式泵组，该真空前处理室内设置远红外加热管、射频轰击板；

所述真空镀膜室设置偏向磁控圆柱旋转靶、高真空抽气机组；

所述深冷机组设置有连通真空前处理室腔体外壁、真空镀膜室腔体外壁的冰水管和引入真空镀膜室的冰水管。

进一步，真空镀膜室设置有4至8套偏向磁控圆柱旋转靶，其中1套为不锈钢圆柱旋转靶，其他为铜圆柱旋转靶。

本发明的另一目的在于提供一种SiP芯片低温EMI真空磁控溅射镀膜方法，包括以下步骤：

步骤一、在上下料区将SiP工件固定在覆上双面胶的载具内，将载具固定在工件架上送入真空前处理室；

步骤二、工件架进入真空前处理室定位后，中真空抽气机组对真空前处理室进行抽真空并开启远红外加热管将工件加热至80～100摄氏度，边加热边抽真空将工件产生的逸气抽离；

步骤三、中真空抽气机组对真空前处理室持续进行抽真空，将真空度抽到-10～-50Pa时，真空前处理室内的射频轰击板对工件进行离子轰击处理，以清洁并活化工件表面；

步骤四、完成工件离子轰击后，真空前处理室的传输组件将工件架传输到真空镀膜室；