[发明专利]一种新型碳化硅电热元件及其制备方法

权利要求书

1.一种新型碳化硅电热元件，其特征在于，它由碳化硅、粘合剂、结合剂及水组成，其重量百分比为：碳化硅83％～88％、粘合剂2％～4％、结合剂1.5％～2.0％、水6％～15％。优选重量百分比为：碳化硅86％、粘合剂3％、结合剂2.0％、水9％。

2.根据权利要求1所述的一种新型碳化硅电热元件，其特征在于，所述的碳化硅优选绿碳化硅，其纯度为99.5％以上，其颗粒度为：26#～32#的粗粒占20％～40％，60#～100#中粒占20％～30％，220#以上细粒占50％～70％。

3.权利要求1所述的一种新型碳化硅电热元件制备方法，其特征在于，其制备方法如下：

(1)配料：选用不同比例的颗粒碳化硅配料，并搅拌均匀；

(2)混料：分干混和湿混同时操作，将粉状料搅拌均匀后，再加入粘合剂、结合剂的水溶液，经搅拌碾压后进行湿混，使粘合剂、结合剂分布均匀，使胚体塑性增强，呈片状或其它形状，混料时间为40～100分钟；

(3)预压：将胚体料在压机上挤压二遍以上，挤成Ф30～50毫米左右的料柱，也可挤压成料饼或其它形状；

(4)成型：根据所需直径规格，将料饼加入到模具中挤压成型，成型时控制模具内胚料压力为30～60MPa范围内；

(5)干燥：先选择在20～30℃环境下干燥24～48小时，然后在90～150℃环境下干燥3～6小时；

(6)烧成：烧成选择连续高温烧成工艺，先预热2～5小时，预热温度为300～600℃，高温烧成温度为2300～2500℃，烧成时间为40～70分钟，烧成时选择保护气体为高纯氮气。

(7)烧成后处理：在氧化气氛下，对烧成的碳硅棒进行涂层处理，即氧化处理和防腐处理，提高棒体性能指标，处理温度为1300～1500℃之间，时间为4～10小时。