[发明专利]MOS器件及其制造方法、以及ESD防护电路

权利要求书

1.一种MOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

设于所述半导体衬底表面的栅极结构；

设于所述半导体衬底内并位于所述栅极结构两侧的漏区和源区；

设于所述半导体衬底表面并位于所述栅极结构一侧的第一侧墙；以及

导电层，所述导电层在所述MOS器件用于ESD防护时接地；

其中，所述栅极结构包括与所述漏区相邻的第一侧壁，所述第一侧墙覆盖所述第一侧壁及所述漏区；

当所述MOS器件用于ESD防护时，所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区均电连接于所述导电层，所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区处于相同电位且均接地。

2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，还包括与所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区一一对应的第一导电通道、第二导电通道及第三导电通道，所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区分别与各自对应的导电通道对应电连接；

当所述MOS器件用于ESD防护时，所述第一导电通道、所述第二导电通道及所述第三导电通道均电连接于所述导电层，使得所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区处于相同电位且均接地。

3.如权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，还包括设于所述半导体衬底表面并位于所述栅极结构另一侧的第二侧墙，所述栅极结构还包括与所述源区相邻的第二侧壁，所述第二侧墙覆盖所述栅极结构的第二侧壁及所述源区；

其中，所述源区包括一重掺杂区域，所述第三导电通道的一端穿过所述第二侧墙对应所述重掺杂区域的位置，并电连接于所述重掺杂区域。

4.如权利要求3所述的MOS器件，其特征在于，还包括欧姆连接层，所述欧姆连接层电连接于所述第三导电通道的一端和所述重掺杂区域之间。

5.如权利要求1至4任一项所述的MOS器件，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底，所述漏区和所述源区均为在所述P型半导体衬底内注入N型掺杂离子所形成的N型掺杂区，所述MOS器件为NMOS器件；或者

所述半导体衬底为N型半导体衬底，所述漏区和所述源区均为在所述N型半导体衬底内注入P型掺杂离子所形成的P型掺杂区，所述MOS器件为PMOS器件。

6.一种MOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内分别注入掺杂离子，以在所述栅极结构两侧分别形成漏区和源区；

在所述栅极结构的两侧分别形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极结构一侧的侧壁及所述漏区，所述第二侧墙覆盖所述栅极结构另一侧的侧壁及所述源区；以及

形成分别与所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区一一对应电连接的第一导电通道、第二导电通道及第三导电通道，其中，当所述MOS器件用于ESD防护时，所述第一导电通道、所述第二导电通道及所述第三导电通道均电连接于接地的导电层，以使所述第一侧墙、所述栅极结构及所述源区处于相同电位且均接地。

7.如权利要求6所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极结构的两侧分别形成第一侧墙和第二侧墙的步骤具体包括：

形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述栅极结构及其两侧的所述漏区和所述源区；

形成第一氮化层，所述第一氮化层覆盖所述第一氧化层；以及

对覆盖于所述栅极结构表面的所述第一氮化层及所述第一氧化层依次进行刻蚀，以形成贯穿所述第一氮化层及所述第一氧化层的开槽，所述开槽暴露所述栅极结构的第一表面的至少一部分，并使得位于所述开槽一侧的所述第一氮化层和所述第一氧化层构成所述第一侧墙，位于所述开槽另一侧的所述第一氮化层和所述第一氧化层构成所述第二侧墙，所述第一侧墙与所述第二侧墙分离；所述第一表面远离所述半导体衬底。