[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法有效
申请号: | 202110330165.5 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113284999B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 林云真;刘源;沈燕;郝亚磊;尹灵峰 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/56;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上依次生长n型层、多量子阱层及p型层;
在所述p型层上形成延伸至所述n型层的表面的凹槽;
在所述n型层被所述凹槽暴露的表面生长n电极,在所述p型层远离所述衬底的表面生长p电极;
在所述p型层与所述n型层被所述凹槽暴露的表面形成钝化保护层,所述钝化保护层上具有套设在所述n电极上的第一通孔,所述钝化保护层上具有套设在所述p电极上的第二通孔;
在所述钝化保护层上形成斥水膜层,所述斥水膜层具有分别对应所述n电极的第一光孔与对应所述p电极的第二光孔,所述斥水膜层延伸至所述n电极的外周壁与所述p电极的外周壁上;
所述在所述钝化保护层上形成斥水膜层,包括:
在所述钝化保护层、所述n电极的外周壁表面与所述p电极的外周壁表面上涂覆液态的有机硅烷化合物,所述有机硅烷化合物为异-辛基三乙氧基硅烷或者丙基三乙氧基硅烷;
静置晶片100~500s,所述晶片为生长完所述钝化保护层之后的结构;
以1000~4000r/s的转速,使所述晶片绕所述晶片的轴线转动0.1min~5min,以使液态的所述有机硅烷化合物分布更均匀;
在温度为100~200度的条件下烘烤液态的所述有机硅烷化合物100~500s以形成所述斥水膜层,所述斥水膜层的厚度为5nm~15nm;
使用丙酮清洗所述斥水膜层5~20分钟;使用乙醇清洗所述斥水膜层5~10分钟;使用异丙醇清洗所述斥水膜层5~10分钟。
2.一种发光二极管芯片,其特征在于,所述发光二极管芯片采用如权利要求1所述的发光二极管芯片制备方法进行制备,所述发光二极管芯片包括衬底、n型层、多量子阱层、p型层、n电极、p电极、钝化保护层与斥水膜层,
所述n型层、所述多量子阱层与所述p型层沿所述n型层的生长方向依次层叠在所述衬底上,所述p型层上具有延伸至所述n型层的表面的凹槽,所述钝化保护层覆盖所述p型层的表面,所述n电极位于所述n型层被所述凹槽暴露的表面上,且与所述n型层被所述凹槽暴露的表面固定,所述p电极位于所述p型层远离所述衬底的表面,且与所述p型层远离所述衬底的表面固定,
所述钝化保护层覆盖所述p型层与所述n型层的表面,所述钝化保护层上具有套设在所述n电极上的第一通孔,所述钝化保护层上具有套设在所述p电极上的第二通孔,
所述斥水膜层层叠在所述钝化保护层上,所述斥水膜层具有分别对应所述n电极的第一光孔与对应所述p电极的第二光孔,且所述斥水膜层延伸至所述n电极的外周壁与所述p电极的外周壁上,所述斥水膜层的材料为有机硅烷化合物。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述斥水膜层为绝缘材料,所述斥水膜层覆盖所述钝化保护层的表面,且所述斥水膜层覆盖所述n电极的外周壁表面与所述p电极的外周壁表面。
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