[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110330165.5 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113284999B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 林云真;刘源;沈燕;郝亚磊;尹灵峰 申请(专利权)人: 华灿光电(苏州)有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/56;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 吕耀萍
地址: 215600 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

提供一衬底;

在所述衬底上依次生长n型层、多量子阱层及p型层;

在所述p型层上形成延伸至所述n型层的表面的凹槽;

在所述n型层被所述凹槽暴露的表面生长n电极,在所述p型层远离所述衬底的表面生长p电极;

在所述p型层与所述n型层被所述凹槽暴露的表面形成钝化保护层,所述钝化保护层上具有套设在所述n电极上的第一通孔,所述钝化保护层上具有套设在所述p电极上的第二通孔;

在所述钝化保护层上形成斥水膜层,所述斥水膜层具有分别对应所述n电极的第一光孔与对应所述p电极的第二光孔,所述斥水膜层延伸至所述n电极的外周壁与所述p电极的外周壁上;

所述在所述钝化保护层上形成斥水膜层,包括:

在所述钝化保护层、所述n电极的外周壁表面与所述p电极的外周壁表面上涂覆液态的有机硅烷化合物,所述有机硅烷化合物为异-辛基三乙氧基硅烷或者丙基三乙氧基硅烷;

静置晶片100~500s,所述晶片为生长完所述钝化保护层之后的结构;

以1000~4000r/s的转速,使所述晶片绕所述晶片的轴线转动0.1min~5min,以使液态的所述有机硅烷化合物分布更均匀;

在温度为100~200度的条件下烘烤液态的所述有机硅烷化合物100~500s以形成所述斥水膜层,所述斥水膜层的厚度为5nm~15nm;

使用丙酮清洗所述斥水膜层5~20分钟;使用乙醇清洗所述斥水膜层5~10分钟;使用异丙醇清洗所述斥水膜层5~10分钟。

2.一种发光二极管芯片,其特征在于,所述发光二极管芯片采用如权利要求1所述的发光二极管芯片制备方法进行制备,所述发光二极管芯片包括衬底、n型层、多量子阱层、p型层、n电极、p电极、钝化保护层与斥水膜层,

所述n型层、所述多量子阱层与所述p型层沿所述n型层的生长方向依次层叠在所述衬底上,所述p型层上具有延伸至所述n型层的表面的凹槽,所述钝化保护层覆盖所述p型层的表面,所述n电极位于所述n型层被所述凹槽暴露的表面上,且与所述n型层被所述凹槽暴露的表面固定,所述p电极位于所述p型层远离所述衬底的表面,且与所述p型层远离所述衬底的表面固定,

所述钝化保护层覆盖所述p型层与所述n型层的表面,所述钝化保护层上具有套设在所述n电极上的第一通孔,所述钝化保护层上具有套设在所述p电极上的第二通孔,

所述斥水膜层层叠在所述钝化保护层上,所述斥水膜层具有分别对应所述n电极的第一光孔与对应所述p电极的第二光孔,且所述斥水膜层延伸至所述n电极的外周壁与所述p电极的外周壁上,所述斥水膜层的材料为有机硅烷化合物。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述斥水膜层为绝缘材料,所述斥水膜层覆盖所述钝化保护层的表面,且所述斥水膜层覆盖所述n电极的外周壁表面与所述p电极的外周壁表面。

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