[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在钝化保护层上的同时，斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上，则斥水膜层直接覆盖了钝化保护层的第一通孔与第二通孔，与n电极及p电极之间的间隙，将间隙与外界进行隔绝，避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部，可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响，延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在钝化保护层的表面，也可以减小水汽通过钝化保护层进入芯片内部的可能，也可以一定程度上延长钝化保护层本身的使用寿命，也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、显示屏等，提高发光二极管芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。

发光二极管芯片是用于制备发光二极管的基础结构，发光二极管芯片包括衬底与衬底上依次层叠的n型层、多量子阱层、p型层与钝化保护层，发光二极管还包括n电极与p电极。钝化保护层上具有两个分别对应的n电极与p电极的通孔，n电极与p电极分别插设在两个通孔内并分别连通至n型层与p型层。钝化保护层上的两个通孔与n电极及p电极的周侧壁之间容易存在间隙，部分水汽容易从间隙中进入发光二极管芯片内部，影响最终得到的发光二极管的使用寿命。

发明内容

本公开实施例提供了发光二极管芯片及其制备方法，能够减小水汽进入发光二极管芯片内部的概率以延长最终得到的发光二极管的使用寿命。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、 n型层、多量子阱层、p型层、n电极、p电极、钝化保护层与斥水膜层，

所述n型层、所述多量子阱层与所述p型层沿所述n型层的生长方向依次层叠在所述衬底上，所述p型层上具有延伸至所述n型层的表面的凹槽，所述钝化保护层覆盖所述p型层的表面，所述n电极位于所述n型层被所述凹槽暴露的表面上，且与所述n型层被所述凹槽暴露的表面固定，所述p电极位于所述p型层远离所述衬底的表面，且与所述p型层远离所述衬底的表面固定，

所述钝化保护层覆盖所述p型层与所述n型层的表面，所述钝化保护层上具有套设在所述n电极上的第一通孔，所述钝化保护层上具有套设在所述p电极上的第二通孔，

所述斥水膜层层叠在所述钝化保护层上，所述斥水膜层具有分别对应所述n 电极的第一光孔与对应所述p电极的第二通孔，且所述斥水膜层延伸至所述n 电极的外周壁与所述p电极的外周壁上。

可选地，所述斥水膜层的材料为有机硅烷化合物。

可选地，所述斥水膜层的厚度为5nm～15nm。

可选地，所述斥水膜层为绝缘材料，所述斥水膜层覆盖所述钝化保护层的表面，且所述斥水膜层覆盖所述n电极的外周壁表面与所述p电极的外周壁表面。

本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长n型层、多量子阱层及p型层；

在所述p型层上形成延伸至所述n型层的表面的凹槽；

在所述n型层被所述凹槽暴露的表面生长n电极，在所述p型层远离所述衬底的表面生长p电极；

在所述p型层与所述n型层被所述凹槽暴露的表面形成钝化保护层，所述钝化保护层上具有套设在所述n电极上的第一通孔，所述钝化保护层上具有套设在所述p电极上的第二通孔；