[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一电容结构；

在所述第一电容结构上形成第一晶体管结构，所述第一晶体管结构的源极或漏极与所述第一电容结构电连接；

在所述第一晶体管结构上形成位线结构，所述位线结构与所述第一晶体管结构的漏极或源极电连接；

在所述位线结构上形成第二晶体管结构，所述第二晶体管结构的漏极或源极与所述位线结构电连接；

在所述第二晶体管结构上形成第二电容结构，所述第二电容结构与所述第二晶体管结构的源极或漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一电容结构上形成第一晶体管结构的步骤之前，还包括：

形成第一电容接触结构，所述第一电容接触结构位于所述第一电容结构与所述第一晶体管结构之间，所述第一电容接触结构用于连接所述第一电容结构与所述第一晶体管结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一晶体管结构上形成位线结构的步骤之前，还包括：

形成第一位线接触结构，所述第一位线接触结构位于所述第一晶体管结构与所述位线结构之间，所述第一位线接触结构用于连接所述第一晶体管结构与所述位线结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述位线结构上形成第二晶体管结构的步骤之前，还包括：

形成第二位线接触结构，所述第二位线接触结构位于所述位线结构与所述第二晶体管结构之间，所述第二位线接触结构用于连接所述位线结构与所述第二晶体管结构。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第二晶体管结构上形成第二电容结构的步骤之前，还包括：

形成第二电容接触结构，所述第二电容接触结构位于所述第二晶体管结构与所述第二电容结构之间，所述第二电容接触结构用于连接所述第二晶体管结构与所述第二电容结构。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一晶体管结构以及第二晶体管结构为垂直环栅场效应晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一电容结构和所述第二电容结构为柱状电容。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一电容结构包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层和所述第二支撑层用于支撑所述第一电容结构。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二电容结构包括第三支撑层和第四支撑层，所述第三支撑层和所述第四支撑层用于支撑所述第二电容结构。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一电容结构；

第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述第一电容结构上，所述第一晶体管结构的源极或漏极与所述第一电容结构电连接；

位线结构，所述位线结构位于所述第一晶体管结构上，所述位线结构与所述第一晶体管结构的漏极或源极电连接；

第二晶体管结构，所述第二晶体管结构位于所述位线结构上，所述第二晶体管结构的漏极或源极与所述位线结构电连接；

第二电容结构，所述第二电容结构位于所述第二晶体管结构上，所述第二电容结构与所述第二晶体管结构的源极或漏极电连接。