[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电容结构；在所述第一电容结构上形成第一晶体管结构，所述第一晶体管结构的源极或漏极与所述第一电容结构电连接；在所述第一晶体管结构上形成位线结构，所述位线结构与所述第一晶体管结构的漏极或源极电连接；在所述位线结构上形成第二晶体管结构，所述第二晶体管结构的漏极或源极与所述位线结构电连接；在所述第二晶体管结构上形成第二电容结构，所述第二电容结构与所述第二晶体管结构的源极或漏极电连接。本发明采用垂直环栅场效应晶体管，缩小半导体结构的体积，实现相同单位面积得到更多的存储单元，提高动态随机存取存储器的单位密度。

技术领域

本发明涉及半导体存储器领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

由于动态随机存取存储器优秀的性价比和扩展性，作为一种常见的易失性存储器，广泛应用于计算主存，即计算机最主要的存储器中。而在现有技术动态随机存取存储器的构造流程中，利用晶体管控制数位信号储存是应用于动态随机存取内存的常见方式。

如今，随着半导体尺寸微缩，相同单位面积内存储容量越来越大，提高动态随机存取存储器(DRAM)的单位密度是各个世代产品技术一直努力的方向。由于摩尔定律，更大的集成度以及相对更小的动态随机存取存储器单元也一直是行业内常见的优化方向。在现有技术中，动态随机存取存储器的阵列区传统布局是在同一平面上堆叠单元器件，使用更小的关键尺寸实现相同单位面积得到更多的存储单元。

附图1所示为现有技术中一种动态随机存取存储器单元的电路图。在所述电路图中，动态随机存取存储器单元的位线连接第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一场效应晶体管连接到第一电容的第一端，第一电容的第二端接地；第二场效应晶体管连接到第二电容的第一端，第二电容的第二端接地。

但是，现有技术中对动态随机存取存储器单元的尺寸优化已经遇到了瓶颈。下面参考附图2A和附图2B说明现有技术中常见的动态随机存取存储器单元结构。

附图2A-2B所示为现有技术中动态随机存取存储器单元的结构示意图。附图2A所示是现有技术中动态随机存取存储器单元一种结构，包括基底201；位于基底201上的第一场效应晶体管202和第二场效应晶体管203；连接第一场效应晶体管202和第二场效应晶体管203的位线204；连接位线204的第一电容205和第二电容206。所述第一电容205和第二电容206为柱状电容。在附图2A所示的动态随机存取存储器单元结构中，两组电容和场效应晶体管水平排列，占空间较大，堆叠形成动态随机存取存储器后体积较大，造成很大的空间浪费，并且缺乏继续压缩动态随机存取存储器体积的空间。

附图2B所示是现有技术中动态随机存取存储器单元又一种结构，包括基底211；位于基底211上的第一场效应晶体管212和第二场效应晶体管213；连接第一场效应晶体管212和第二场效应晶体管213的位线214；连接位线214的第一电容215和第二电容216。所述第一电容215和第二电容216为柱状电容。在附图2B所示的动态随机存取存储器单元结构中，虽然两组电容和场效应晶体管交替排列，占空间稍有减小，但仍属于水平的排列方式，堆叠形成动态随机存取存储器后体积依然较大，依然会造成很大的空间浪费，并且缺乏继续压缩动态随机存取存储器体积的空间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是减小半导体结构的体积，实现相同单位面积得到更多的存储单元，提高动态随机存取存储器的单位密度，提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一电容结构；在所述第一电容结构上形成第一晶体管结构，所述第一晶体管结构的源极或漏极与所述第一电容结构电连接；在所述第一晶体管结构上形成位线结构，所述位线结构与所述第一晶体管结构的漏极或源极电连接；在所述位线结构上形成第二晶体管结构，所述第二晶体管结构的漏极或源极与所述位线结构电连接；在所述第二晶体管结构上形成第二电容结构，所述第二电容结构与所述第二晶体管结构的源极或漏极电连接。