[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一晶体管结构，包括基底、位于所述基底上的第一沟道层、保形覆盖所述第一沟道层的第一栅介质层、覆盖所述第一栅介质层的第一栅极结构、以及位于所述第一栅极结构两侧的基底上的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层与位于所述第一栅极结构下方的第一沟道层端部相接触，所述第一晶体管结构具有位于所述第一栅极结构一侧的键合面；

键合层，位于所述第一晶体管结构的键合面上，所述键合层的材料为介电材料；

第二晶体管结构，位于所述键合层上，所述第二晶体管结构包括第二沟道层、保形覆盖所述第二沟道层的第二栅介质层、覆盖所述第二栅介质层的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧的键合层上的第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层与位于所述第二栅极结构下方的第二沟道层端部相接触；

导电插塞，贯穿所述第二栅极结构底部的所述第二栅介质层和键合层，所述导电插塞电连接所述第二栅极结构和所述第一栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一晶体管结构和第二晶体管结构的堆叠方向，所述导电插塞的两端分别与所述第二栅极结构的底部和所述第一栅极结构的顶部电连接。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞和所述第二栅极结构为一体结构。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞的材料包括W、Co、Ru、TiN、TaN、Ta、Ti、TiAl、W、AL、TiSiN和TiAlC中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层为凸立于所述基底上的第一鳍部；所述第一栅极结构横跨所述第一鳍部，且覆盖所述第一鳍部的部分顶部和部分侧壁上的第一栅介质层；

或者，所述第一沟道层位于所述基底上且与所述基底间隔设置，所述第一沟道层包括一个或多个间隔设置的第一子沟道层；所述第一栅极结构环绕覆盖所述第一沟道层上的第一栅介质层。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟道层为凸立于所述键合层上的第二鳍部；所述第二栅极结构横跨所述第二鳍部，且覆盖所述第二鳍部的部分顶部和部分侧壁上的第二栅介质层；

或者，所述第二沟道层位于所述键合层上且与所述键合层间隔设置，所述第二沟道层包括一个或多个间隔设置的第二子沟道层；所述第二栅极结构环绕覆盖所述第二沟道层上的第二栅介质层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一金属栅极结构，所述第二栅极结构包括第二金属栅极结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一晶体管结构和第二晶体管结构的堆叠方向，所述导电插塞还延伸至部分厚度的所述第二栅极结构中。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管结构包括NMOS晶体管，所述第二晶体管结构包括PMOS晶体管；

或者，所述第一晶体管结构包括PMOS晶体管，所述第二晶体管结构包括NMOS晶体管。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层的材料包括硅、锗化硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料；所述第二沟道层的材料包括硅、锗化硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述键合层的材料包括氧化硅、氮化硅，氮氧化硅，掺碳的氧化硅中的一种或多种。