[发明专利]掩膜结构、半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种掩膜结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成由下至上依次叠置的图形转移层、第一刻蚀停止层、第一牺牲层及第一硬掩膜层；

图形化所述第一牺牲层及所述第一硬掩膜层，以得到第一牺牲图形，所述第一牺牲图形暴露所述第一刻蚀停止层；

于所述第一牺牲图形的侧壁形成第一初始掩膜图形；

去除所述第一牺牲图形；

基于所述第一初始掩膜图形去除暴露出顶面的部分所述第一刻蚀停止层；

去除所述第一初始掩膜图形，以位于所述图形转移层的上表面的剩余所述第一刻蚀停止层为第一掩膜图形，所述第一掩膜图形沿第一方向延伸；

于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，于所述第一牺牲图形的侧壁形成第一初始掩膜图形，包括：

于所述第一牺牲图形的侧壁、所述第一牺牲图形的顶面及暴露出的所述第一刻蚀停止层的上表面形成第一初始掩膜材料层；

去除位于暴露出的所述第一刻蚀停止层的上表面及所述第一牺牲图形的顶面的部分所述第一初始掩膜材料层，以于所述第一牺牲图形的侧壁形成所述第一初始掩膜图形。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜图形之后，且形成所述第二掩膜图形的步骤之前，还包括：

形成第一填充层，所述第一填充层覆盖暴露出的所述图形转移层的上表面及所述第一掩膜图形。

4.根据权利要求3所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第一填充层的上表面高于所述第一掩膜图形的上表面。

5.根据权利要求4所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形包括：

于所述第一填充层的上表面形成由下至上依次叠置的第二刻蚀停止层、第二牺牲层及第二硬掩膜层；

图形化所述第二牺牲层及所述第二硬掩膜层，以形成第二牺牲图形，所述第二牺牲图形暴露所述第二刻蚀停止层；

于所述第二牺牲图形的侧壁形成第二初始掩膜图形；

去除所述第二牺牲图形。

6.根据权利要求5所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二牺牲图形的侧壁形成第二初始掩膜图形包括：

于所述第二牺牲图形的侧壁、所述第二牺牲图形的顶面及暴露出的所述第二刻蚀停止层的上表面形成第二初始掩膜材料层；

去除位于暴露出的所述第二刻蚀停止层的上表面及所述第二牺牲图形的顶面的部分所述第二初始掩膜材料层，以于所述第二牺牲图形的侧壁形成所述第二初始掩膜图形。

7.根据权利要求6所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形还包括：

基于所述第二初始掩膜图形去除暴露出顶面的部分所述第二刻蚀停止层；

去除所述第二初始掩膜图形，以位于所述第一填充层的上表面的剩余所述第二刻蚀停止层为所述第二掩膜图形。

8.根据权利要求6所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形还包括：

形成第二填充层，所述第二填充层覆盖暴露出的所述第二刻蚀停止层的上表面及所述第二初始掩膜图形，所述第二填充层的上表面高于所述第二初始掩膜图形的上表面；

去除部分所述第二填充层以及部分所述第二初始掩膜图形，使得剩余所述第二填充层的上表面及剩余所述第二初始掩膜图形的上表面相平齐，且均为平面；

去除剩余所述第二填充层；

基于剩余所述第二初始掩膜图形去除暴露出的顶面的部分所述第二刻蚀停止层；

去除剩余所述第二初始掩膜图形，以位于所述第一填充层的上表面的剩余所述第二刻蚀停止层为所述第二掩膜图形。