[发明专利]半导体封装设备和其制造方法在审
申请号: | 202110333528.0 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113871356A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 郭彦成;杨韶纶 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/49;B81B7/02;B81B7/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 设备 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装设备,其包括:
衬底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
第一电子组件,其安置于所述第一表面上;
第一介电层,其安置于所述第二表面上并且具有远离所述衬底的第三表面;和
第一孔洞,其延伸穿过所述第一介电层和所述衬底;
其中所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。
2.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其另外包括:
第二电子组件,其安置于所述第一表面上;和
第二孔洞,其从所述第三表面延伸到所述第一表面,
其中所述第二孔洞与所述第二电子组件大体上对准。
3.根据权利要求1所述的半导体封装设备,所述第一孔洞具有两端,一端与所述第一介电层的侧面相邻且另一端与所述第一表面相邻。
4.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其另外包括安置于所述第一表面上的第二介电层,其中所述第一电子组件被所述第二介电层覆盖。
5.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其另外包括通过接合线电连接到所述衬底的半导体裸片,其中所述半导体裸片和所述接合线被所述第一介电层覆盖。
6.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其另外包括所述第一介电层中的多个导通孔,其中所述多个导通孔电连接到所述衬底。
7.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其另外包括沿着所述第一孔洞的侧壁安置的反射层。
8.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其中所述第一孔洞具有楔形轮廓。
9.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其中所述第一孔洞具有大体上垂直于所述第三表面的侧壁。
10.根据权利要求1所述的半导体封装设备,其中所述第一电子组件是微机电系统MEMS设备。
11.一种半导体封装设备,其包括:
衬底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
第一MEMS设备,其安置于所述第一表面上;
第二MEMS设备,其安置于所述第二表面上;
第一孔洞,其包含延伸穿过所述衬底并且与所述第一MEMS设备大体上对准的第一区段;和
第二孔洞,其延伸穿过所述衬底并且与所述第二MEMS设备大体上对准。
12.根据权利要求11所述的半导体封装设备,其另外包括安置于所述第二表面上的第一介电层,其中所述第一介电层具有远离所述衬底的第三表面、朝向所述衬底的第四表面和从所述第三表面延伸到所述第四表面的侧面。
13.根据权利要求12所述的半导体封装设备,其中所述第一孔洞包含从所述第三表面延伸到所述第四表面的第二区段。
14.根据权利要求13所述的半导体封装设备,其中所述第一区段的侧壁和所述第二区段的侧壁顺畅连接。
15.根据权利要求12所述的半导体封装设备,其中所述第一孔洞包含从所述第四表面暴露的第二区段和从所述侧面暴露的第三区段,且其中所述第二区段和所述第三区段在所述第一介电层内连接。
16.根据权利要求12所述的半导体封装设备,其另外包括安置于所述第二MEMS设备与所述第二孔洞之间的连接元件,其中所述连接元件将所述第二孔洞与所述第一介电层隔开。
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