[发明专利]半导体封装设备和其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体封装设备和制造半导体封装设备的方法。所述半导体封装设备包含衬底、第一电子组件、第一介电层和第一孔洞。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于所述第一表面上。所述第一介电层安置于所述第二表面上并且具有远离所述衬底的第三表面。所述第一孔洞从所述第一介电层和所述衬底延伸。所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。

技术领域

本公开涉及半导体封装设备和其制造方法，并且涉及包含电子组件的半导体封装设备和其制造方法。

背景技术

半导体封装设备可包含衬底和附接到其的多个设备。衬底可具有促进设备中的一个的外部信号接收的穿通孔。然而，由于穿通孔自身可变成设备污染的通道，因此穿通孔会限制一系列后续制造操作。在一些技术中，塑料构件可附接到衬底，具有与衬底的穿通孔对准的穿通孔以便促进外部信号接收。然而，难以识别将塑料构件恰当地附接到衬底的适当粘附剂，且技术上难以将衬底的穿通孔与塑料构件的穿通孔对准在可容许的范围内。

发明内容

在一些实施例中，一种半导体封装设备包含衬底、第一电子组件、第一介电层和第一孔洞。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于所述第一表面上。所述第一介电层安置于所述第二表面上并且具有远离所述衬底的第三表面。所述第一孔洞延伸穿过所述第一介电层和所述衬底。所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。

在一些实施例中，一种半导体封装设备包含衬底、第一微机电系统(MEMS)设备、第二MEMS设备、第一孔洞和第二孔洞。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。第一MEMS设备安置于第一表面上。第二MEMS设备安置于第二表面上。第一孔洞包含延伸穿过衬底并且与第一MEMS设备大体上对准的第一区段。第二孔洞延伸穿过衬底并且与第二MEMS设备大体上对准。

在一些实施例中，一种制造半导体封装设备的方法包含：提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底；在所述第二表面上形成第一介电层且所述第一介电层具有远离所述衬底的第三表面；形成从所述第三表面延伸到所述第一表面的第一孔洞；和在所述第一表面上安置第一电子组件。所述第一孔洞与所述第一电子组件大体上对准。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且出于论述清楚起见，可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。

图2A说明根据本公开的一些实施例的如图1中所示的虚线框B1的放大视图。

图2B说明根据本公开的一些实施例的如图1中所示的虚线框B1的放大视图。

图3说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。

图4说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。

图5说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。

图6说明根据本公开的一些实施例的半导体封装设备的横截面视图。

图7说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。

图8说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。

图9说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。

图10说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。

图11说明根据本公开的一些实施例的用于制造半导体封装设备的方法的实例的一或多个阶段。